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測量高頻PWM實時功率的乘法器電路
對于電機或伺服器這些需要精確監(jiān)視或調(diào)節(jié)負載耗散功率的產(chǎn)品來說，可以通過計算負載電壓和電流的乘積來測量實際功率。但如果電壓電流為高頻波時，測量相應(yīng)的功率并非易事，這就是脈寬調(diào)制(PWM)電機所面臨的問題。
2011-10-12
工業(yè)光纖 高壓變頻器 弱電 PWM
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對便攜式音頻設(shè)備的定量分析
便攜式音頻設(shè)備的特殊要求是產(chǎn)品設(shè)計的關(guān)鍵，產(chǎn)品A優(yōu)于其競爭產(chǎn)品B，而且使用更理想的原因是什么? 從性能上看，競爭產(chǎn)品之間的頻率響應(yīng)平坦度和THD+N等指標相差不大，很難區(qū)分哪一個產(chǎn)品性能更好。從用戶接口能夠評判產(chǎn)品的主要差異，但這在很大程度上取決于主觀評價。我們可以利用客觀的音頻性能指...
2011-10-12
便攜式 音頻設(shè)備 放大器 噪聲電平
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小尺寸集成電路CDM測試
集成電路(IC)的靜電放電(ESD)強固性可藉多種測試來區(qū)分。最普遍的測試類型是人體模型(HBM)和充電器件模型(CDM)。這兩種ESD測試類型旨在揭示包含基本ESD控制的制造環(huán)境下，電路在ESD應(yīng)力下的存續(xù)情況如何。HBM是應(yīng)用最久的ESD測試，但工廠ESD控制專家普遍認為，在現(xiàn)代高度自動化的組裝運營中，CDM是...
2011-10-12
CDM測試 IC HBM 集成電路
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。
2011-10-11
SiR662DP Vishay 功率MOSFET 電源產(chǎn)品
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開關(guān)電源的干擾分析及其抑制措施
開關(guān)電源本身產(chǎn)生的干擾直接危害著電子設(shè)備的正常工作抑制開關(guān)電源本身的電磁噪聲．是開發(fā)和設(shè)計開關(guān)電源的一個重要課題。簡要地對開關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生、傳播的機理進行了介紹，總結(jié)了幾種主要的抑制開關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生及傳播的方法。
2011-10-11
開關(guān)電源 干擾 抑制
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三相IGBT全橋隔離驅(qū)動電源設(shè)計
本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計了一種隔離驅(qū)動電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V／-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結(jié)構(gòu)。
2011-10-11
IGBT 全橋隔離 驅(qū)動電源 隔離驅(qū)動電源 變換器
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高壓功率VDMOSFET的設(shè)計與研制
隨著現(xiàn)代工藝水平的提高與新技術(shù)的開發(fā)完善，功率VDMOSFET設(shè)計研制朝著高壓、高頻、大電流方向發(fā)展，成為目前新型電力電子器件研究的重點。本文設(shè)計了漏源擊穿電壓為500 V，通態(tài)電流為8 A，導(dǎo)通電阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通過工藝仿真軟件TSUPREM-4和器件仿真軟件MEDICI進行聯(lián)合優(yōu)化仿...
2011-10-11
VDMOSFET 高壓功率MOS管 MOSFET
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適用于各種類型硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路
本文論述一個新穎的簡單的適用于各種類型硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路，這個電路只需使用幾個元器件：一個微型線圈、兩個耦合輔助線圈和兩個優(yōu)化的PN二極管。而且，這個電路完全兼容任何一種PWM控制器。
2011-10-11
功率因數(shù)校正 BC2 能量回收
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LED照明迎來行業(yè)大洗牌
在當前熒光粉價格10倍增長、節(jié)能燈成本陡增的關(guān)口，LED燈近期卻因上游芯片降價而價格持續(xù)走跌。這將進一步撬動LED照明應(yīng)用市場，加速LED照明的示范應(yīng)用和普及，至2015年末我國的LED照明滲透率有望達到甚至超過20%，LED照明產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂瓉硇袠I(yè)大洗牌。
2011-10-11
LED LED照明 電子信息 LED路燈
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