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安森美半導(dǎo)體推出新的高密度溝槽MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封裝， 為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開(kāi)關(guān)性能。
2009-11-03
安森美 半導(dǎo)體 高密度 溝槽MOSFET
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富士通將收購(gòu)三洋部分電池業(yè)務(wù)
北京時(shí)間10月28日消息，日本三洋電機(jī)公司表示，將出售部分電池業(yè)務(wù)給富士通子公司，作價(jià)64億日元(7000萬(wàn)美元)，這使得三洋在被松下公司計(jì)劃收購(gòu)前，給了反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)一個(gè)交代。
2009-11-03
富士通 收購(gòu) 三洋 電池業(yè)務(wù)
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北京首個(gè)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)基地正式投產(chǎn)
昨日下午，北京首個(gè)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)基地——北京中錦陽(yáng)150MW薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)基地一期50MW工程在平谷馬坊綠能產(chǎn)業(yè)基地正式投產(chǎn)。
2009-11-03
北京 太陽(yáng)能電池 基地 投產(chǎn)
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中國(guó)太陽(yáng)能光伏企業(yè)抱團(tuán)應(yīng)戰(zhàn)德國(guó)光伏企業(yè)
日前，歐美部分企業(yè)申請(qǐng)對(duì)中國(guó)產(chǎn)太陽(yáng)能電池進(jìn)行反傾銷調(diào)查，將光伏產(chǎn)業(yè)再次推上風(fēng)口浪尖。
2009-11-03
太陽(yáng)能 光伏企業(yè) 德國(guó) 抱團(tuán) 應(yīng)戰(zhàn)
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LED應(yīng)用的電源要求
LED的與傳統(tǒng)白熾燈有著根本的不同。LED的亮度是通過(guò)調(diào)節(jié)LED電流來(lái)控制的，而LED負(fù)載的電阻則會(huì)隨著所加負(fù)載的不同而變化。LED需要恒定的電流，而不是通過(guò)恒定電壓和電阻來(lái)保持恒定的亮度。本文介紹大功率LED電路的特點(diǎn)
2009-11-02
LED 電源 LED功耗
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防電磁干擾的重要措施——濾波技術(shù)
電磁防護(hù)主要有三項(xiàng)措施，即屏蔽、濾波和接地。往往單純采用屏蔽不能提供完整的電磁干擾防護(hù)，因?yàn)樵O(shè)備或系統(tǒng)上的電纜是最有效的干擾接收與發(fā)射天線。
2009-11-02
電磁防護(hù) 濾波
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國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)助電子工廠提高生產(chǎn)效益
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》已經(jīng)在今年7月1日正式頒布實(shí)施，這將對(duì)促進(jìn)我國(guó)電子工程技術(shù)的發(fā)展，規(guī)范電子潔凈廠房的秩序起到積極的推動(dòng)作用，也將為響應(yīng)國(guó)家促進(jìn)節(jié)能環(huán)保的政策奠定一個(gè)良好的基礎(chǔ)。
2009-11-02
電子 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 潔凈技術(shù)
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光電倍增管原理、特性與應(yīng)用
光電子應(yīng)用技術(shù)是一門(mén)新興的高新技術(shù)，當(dāng)前還處于發(fā)展階段。相信它在21世紀(jì)必將有重大創(chuàng)新并迅速崛起。光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)也必將發(fā)展成為一種新興的知識(shí)經(jīng)濟(jì)，從而在新興技術(shù)領(lǐng)域形成巨大的生產(chǎn)力。本文主要介紹光電倍增管原理、結(jié)構(gòu)、特性與應(yīng)用。
2009-11-02
光電 倍增管 光電子
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并聯(lián)穩(wěn)壓器加快電源啟動(dòng)速度
本文對(duì)比新舊設(shè)計(jì)方案，論證并聯(lián)穩(wěn)壓器加快電源啟動(dòng)速度的方案
2009-10-30
穩(wěn)壓器 電源 啟動(dòng)速度
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