【導讀】接觸電子業10年，經歷過5-6級，無 Y 有 Y，EMI 整改、認證、系列、專案等……以下為我在設計 65W 以內的電源適配器 時的整改小經驗。
能效整改
1. VF 值，肖特基
? 低 VF 值的要比普通的要高0.5-3個百分比；
? 品牌、VF 值不一樣，有差別；
? 選型，能用40V 的就不要用45V 或者60V 的，電壓經測試可以得出。
2. 加速度肖特基的導通
電源適配器基本上都在次級加入了 RCD 電路，如圖，可將 R2 更改為 D3（D3為4148），此處更改可增加老化后0.5%的效率，但是 R1 的位置要按測試 EMI 測試出來的數據相對應的調整。
3. 初級 RCD
可將吸收的 D 更改為阻尼二極管。
此處更改有以下優勢：
① MOS 管的峰值會下降。600V 左右的峰值會下降到520V 左右。實測為準。
② 能效，老化5分鐘后，增加0.5%的效率。
③ 注意事項，此時吸收只的 R，取值5M-10M 左右為最佳。
④ 注意 MOS 串在 RCD 上的電阻，太小會影響 EMI，大了也不適合。以測試為準。
4. 變壓器
此處各位搞工程的都懂，無非就是設計時的計算與繞線方式。
本人經驗
? 定頻 65KHZ 的 IC 在45-50KHz 時（滿載）最佳。
? 注意10%--25%負載時有沒有異音。
5. 電解電容 ESR
低 ESR 的效率要高過普通的，包括現在用的高分子電容?？梢蕴岣邏勖c能效，是針對低壓大電流的不二選擇。
6. 待機
高壓起動的 IC，節省了起動電阻的損耗。非高壓起動的 IC 可加大起動電阻來減少待機功率，但是會影響起動時間，可以按一定條件更改 VCC 起動電容，或者增加二級起動電路等，包括更改假負載電阻等，當然太小了會出現空載不穩定的現象等。
本文轉載自 21Dianyuan
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