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功率半導體：強化設計能力 尋求中高端突破
功率半導體包括功率二極管、功率開關器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導體)技術的迅速發展，功率半導體的應用范圍已從傳統的工業控制領域擴展到4C領域(計算機、通信、消費類電子產品和汽車電子)，滲透到國民經濟與國防建設的各個方面。我國擁有國際上最大的功率半導體市場，擁...
2009-12-25
功率器件 開關 功率二極管 高端
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GP2AP012A00F:夏普開發出集成有可檢測0.1lx低照度的照度傳感器
夏普將上市集成了照度傳感器的新款近接傳感器“GP2AP012A00F”。主要特點是可檢測0.1lx的低照度，外形尺寸僅為4.4mm×2.6mm×1.0mm。該公司此前產品可檢測的照度為3lx，外形尺寸為5.6mm×2.1mm×1.2mm。
2009-12-25
夏普 集成 低照度 照度傳感器
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傳感器儀表元器件發展分析
傳感器和儀表元器件是儀器儀表與自動化系統最基礎元器件之一。傳感器和儀表元器件具有服務面廣、品種繁多、需求量大等特點，其技術水平和產品質量的提高，將為我國制造業信息化奠定基礎。
2009-12-24
傳感器 儀表 元器件 MEMS
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2009年歲末電子產業數據回顧與2010年展望
2008年下半年，國際金融風暴席卷全球，以出口為主導的中國大陸電子信息產業直接受到沖擊，產品進出口受阻，導致產品產量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國政府及時實行積極的財政政策，調整產品結構，努力擴大內需，電子信息產業從2月份開始逐漸回升。雖然在個別月份有所波動，但回升趨勢...
2009-12-24
電子產業 數據 回顧 展望
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Toshiba-components推出低導通電阻 快速轉換的30V MOSFET
新產品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結構，因此提高了能源效率。該產品提供了一系列的特性，使設計人員能夠滿足不同的系統要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...
2009-12-24
東芝 低導通電阻 快速轉換 MOSFET
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Gartner：全球半導體設備將增長45%
據國外媒體報道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數內存廠商的選擇性支出，帶動了2009下半年半導體設備市場的增長，2010年的增長主要將由上半年技術升級的帶動，2010年第3季單季增長率在產能增加前將微幅下滑，整體資本設備產業預期自2010年底起將一路大幅增長至2011年。
2009-12-24
Gartner 全球 半導體 增長
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美國科學家研發出一種新型光纖傳感器
美國科學家研發出一種可以在極端條件下使用的新型光學壓力傳感器。這種光纖傳感器不但可以測量高達1800萬帕(2620磅/平方英寸)的壓力，將感測頭放進-196°C的液態氮中或者加熱到538°C，性能也不會有明顯改變
2009-12-24
美國 科學家 新型 光纖傳感器
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Vishay推出適用于線焊組裝的新PSC系列RF螺旋電感器
螺旋電感具有1nH~100nH的寬感值范圍，采用0.045英寸x0.045英寸x0.010英寸的小尺寸外形。PSC器件同時具有低寄生電容、低至0.26Ω的DCR、高達10.2GHz的SRF，在250MHz和1000MHz下的Q值分別為13和18。
2009-12-23
Vishay 線焊組裝 PSC RF 螺旋電感器
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太陽能產業或將復蘇 預計明年增長50%
近年來，在美國對環保項目刺激資金的投入、稅收優惠措施延長，新融資涌入等因素的影響下，太陽能產業增長速度超過了40%，預計明年全球太陽能產業的增長將達到50%，價格將下降8%至10%，2010年前景較為樂觀。
2009-12-23
太陽能 復蘇 增長 樂觀
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