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IR 推出PQFN封裝和銅夾技術的中壓功率MOSFET
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現基準性能，適用于網絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源（SMPS）及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應用提供優化的性能和更低成本。
2010-07-08
IR PQFN封裝 銅夾技術 MOSFET
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VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片狀保險絲
TFU 0603薄膜扁平片狀保險絲采用1.55 mm x 0.85 mm x 0.45 mm片狀尺寸，額定電壓為32V，提供高達4A的電流以及35A的斷流容量。該保險絲為移動消費電子產品中的dc/dc轉換器，電池充電器和低壓電源提供二級過流保護，器件符合關于有害物質的法律條令的CEFIC-EECA-EICTA清單。器件數量超過500萬的價格為...
2010-07-08
VISHAY 薄膜平坦片狀 保險絲
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多晶硅價格重拾升勢 生產商擔憂成本壓力增加
日前，我國部分省市取消針對多晶硅項目的優惠電價，導致多晶硅生產成本提升，加上全球光伏產品需求超預期，國內多晶硅尤其是高純多晶硅的供應又呈現供不應求的苗頭。對此，不少晶硅電池生產商擔憂多晶硅價格的提升會帶來成本壓力的增加。
2010-07-08
多晶硅 高耗能 光伏
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2010年純晶圓代工產業的營業收入預計增長
由于消費產品需求回升，iSuppli公司把2010年純晶圓代工廠商的營業收入增長率預測上調了2.8個百分點。
2010-07-08
純晶圓代工 營業收入 增長 iSuppli
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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恩智浦新增高性能射頻產品技術中心落戶上海及波士頓近郊
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市（近波士頓）開設兩家恩智浦高性能射頻(RF)產品技術中心。
2010-07-07
恩智浦 高性能射頻 上海 波士頓近郊
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解析創新高精度數據采集SoC設計方案
目前該類多系列的SoC已經成功應用于包括高性能太陽能自動上位人體秤、電子血壓計等應用，實現了超過50萬片的累積銷量，成功地幫助芯海科技在國內數據采集器件市場占有了一席之地。
2010-07-07
SoC 芯海科技 數據采集器件
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三網融合打破FTTx發展瓶頸
經過兩年多的大規模建設，中國FTTB的部署量已經達到了3000萬線的規模，預計 2010年底，將超過6000萬線以上的規模，城市地區的寬帶用戶基本上都可以實現FTTB接入，“光進銅退”的第一階段將基本完成。
2010-07-07
三王融合 FTTx 電信 IPTV
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