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就在下周！ESIS 2026第五屆中國電子半導體數智峰會，3.26上海見
3月26日，由信息俠主辦，浙江省數字經濟聯合會與徽聯智匯協辦的ESIS 2026第五屆中國電子半導體數智峰會將在上海盛大啟幕。
2024-03-17
ESIS 2026
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800V架構下，給連接器帶來了哪些“改變”？
眾所周知，新能源汽車用連接器的作用主要是保證整車高壓互聯系統，即在內部電路被阻斷或孤立不通處架起橋梁從而使電流流通，通過獨立或與線纜一起，為器件、組件、設備、子系統之間傳輸電流或光信號，并且保持各系統之間不發生信號失真和能量損失的變化，是構成整個完整系統連接所必須的基礎元件。...
2024-03-13
架構 連接器
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續分享相...
2024-03-12
功率MOSFET UIS
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人工智能已悄然成為 RECOM工程師的最強大腦
乍一看，人工智能 (AI) 和電源設計似乎沒有太多共同之處。然而，RECOM 已經在至少三個不同領域積極應用人工智能技術，旨在提升我們的產品和服務質量。請繼續閱讀，了解人工智能、電力和 RECOM 如何變得密不可分。
2024-03-06
人工智能 電源設計
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使用大面積分析提升半導體制造的良率
設計規則檢查 (DRC) 技術用于芯片設計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設計規則通常根據所使用設備和工藝技術的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求，且不會導致芯片故障或DRC違規。常見的DRC規則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規格，以避免在制造過程中出現短路、斷路、...
2024-03-05
半導體制造 芯片
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。
2024-03-04
功率MOSFET 雪崩效應
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村田提供《優化下一代數據中心 AI 服務器的供電網絡技術指南》 助力數據中心電力穩定化
株式會社村田制作所（以下簡稱“村田”）開始提供《優化下一代數據中心 AI 服務器的供電網絡技術指南》 (1)（以下簡稱“本資料”）。
2024-03-03
株式會社村田制作所
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多通道優先級放大器的設計與應用
模擬優先級放大器最初是作為多輸出電源的一部分進行設計，其中穩壓操作基于最高優先級通道的電壓。該放大器的另一個應用是帶電子節氣門控制的引擎控制系統，其中引擎需要對多個輸入命令中優先級最高的一個作出響應。
2024-03-01
多通道 放大器
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意法半導體和Mobile Physics合作開發EnviroMeter，讓手機具有準確的空氣質量監測功能
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和環境物理學的軟件開發初創公司Mobile Physics宣布了一項排他性合作協議，合作開發一個用智能手機內置光學傳感器測量家庭和環境的空氣質量的應用軟件。
2024-03-01
意法半導體 Mobile Physics EnviroMeter 手機 空氣質量監測
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