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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號(hào)最豐富的國(guó)產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達(dá)到國(guó)際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國(guó)際一流廠商。總裁黃興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計(jì)能力和工藝水平。
2022-10-19
SiC MOSFET 功率器件
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芯科技賦能中國(guó)新基建之談?wù)剝?chǔ)能背后的黑科技
2022年，在政策扶持和市場(chǎng)需求的雙重刺激下，儲(chǔ)能一下子成為了最為炙手可熱的產(chǎn)業(yè)之一，這背后實(shí)質(zhì)是可再生能源裝機(jī)量的不斷攀升。和火電等可以主動(dòng)控制發(fā)電量的機(jī)組不同，可再生能源的發(fā)電受自然環(huán)境影響，具有很強(qiáng)的不確定性，甚至無(wú)法與電網(wǎng)兼容，因此需要配套儲(chǔ)能系統(tǒng)以解決消納、調(diào)峰、調(diào)頻、...
2022-10-18
芯科技 儲(chǔ)能 黑科技
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運(yùn)算放大器:模擬電路的“基礎(chǔ)積木”
所謂模擬芯片，是處理外界信號(hào)的第一關(guān)，所有數(shù)據(jù)的源頭是模擬信號(hào)，模擬芯片是集成的模擬電路，用于處理模擬信號(hào)。模擬信號(hào)是在時(shí)間和幅值上都連續(xù)的信號(hào)，數(shù)字信號(hào)則是時(shí)間和幅值上都不連續(xù)的信號(hào)。外界信號(hào)經(jīng)傳感器轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，是模擬信號(hào)，在模擬芯片構(gòu)成的系統(tǒng)里進(jìn)行進(jìn)一步的放大、濾波等...
2022-10-18
運(yùn)算放大器 模擬電路
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善用可靠且性價(jià)比高的隔離技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)高電壓設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
本文將概述電隔離，解釋高壓系統(tǒng)的常用隔離方法，并展示德州儀器 (TI) 隔離集成電路 (IC) 如何幫助設(shè)計(jì)人員可靠地滿足隔離需求，同時(shí)縮小解決方案尺寸并降低成本。
2022-10-17
隔離技術(shù) 高電壓
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安全芯片如何增強(qiáng)數(shù)字密鑰
隨著車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟（CCC）3.0版數(shù)字密鑰規(guī)范的推出，智能手機(jī)專享門(mén)禁已成為歷史。這一規(guī)范是全球性的跨行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用超寬帶（UWB）、低功耗（BLE）藍(lán)牙、近場(chǎng)通信（NFC）和安全芯片等技術(shù)，開(kāi)啟了基于智能手機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)化汽車門(mén)禁趨勢(shì)。
2022-10-14
安全芯片 數(shù)字密鑰
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使用功率mos管設(shè)計(jì)的100W直流伺服放大電路方案
給大家分享的是使用功率 mos 管的 100W 直流伺服放大電路。如果你正好需要直流放大器電路，就可以直接參考了。直流伺服放大器電路使用 MOSFET 2SJ162 + 2SK1058 或 MOSFET 2SK134 + 2SJ49 (To-3)。
2022-10-14
功率mos管 直流伺服放大電路
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短型熱電偶測(cè)溫裝置的整體檢定
為解決短型熱電偶示值檢定中，因參考端溫度補(bǔ)償難以準(zhǔn)確測(cè)量，給檢定結(jié)果帶來(lái)的誤差，周愛(ài)民工程師將短型熱電偶測(cè)溫裝置進(jìn)行整體檢定，從而解決了短型的示值檢定問(wèn)題。
2022-10-14
熱電偶 測(cè)溫裝置
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鎖相環(huán)環(huán)路計(jì)算中用到的波特圖
波特圖也是根據(jù)人名命名的，它是出自貝爾實(shí)驗(yàn)室，由荷蘭裔科學(xué)家 Hendrik Wade Bode在1930年發(fā)明的。Bode當(dāng)時(shí)需要設(shè)計(jì)用于電話網(wǎng)絡(luò)的放大器，放大器帶有負(fù)反饋。為了能夠快速了解放大器保持絕對(duì)穩(wěn)定所需的增益裕度和相位裕度，Bode開(kāi)發(fā)了波特圖。
2022-10-09
鎖相環(huán)環(huán)路 波特圖
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPARC 將泛林無(wú)與倫比的等離子技術(shù)與化學(xué)和工藝工程相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)邏輯和 DRAM 集成設(shè)計(jì)...
2022-10-09
SPARC DRAM 沉積技術(shù)
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