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網友教你：為功率因數校正應用選擇合適的MOSFET
Vishay Siliconix設計和生產面向工業、可再生能源、計算、消費及照明市場的高壓MOSFET（HVM）。我們擁有電壓范圍為50V至1000V的廣泛器件，其中采用我們最新超結技術的器件的電壓范圍為500 V至650 V 。本設計指南的目的是幫助設計工程師在其功率因數校正（PFC）設計中實現盡可能高的MOSFET效率。
2015-12-09
功率因數 MOSFET
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高壓電容電容量是否穩定，什么因素在搞鬼？
在電路保護元件中，高壓電容屬于重要的元件之一。所以經常會出現在智能產品設計中。但其實在實際應用中，固定不變的高壓電容的電容量卻經常會發生變化，這是什么因素導致的？小編就來為大家解析。
2015-12-08
高壓電容 電容量
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可控硅受干擾究竟是因為哪些原因
在電子元器件中，可控硅屬于在照明和通訊等領域中不可缺少的元件。正是由于可控硅組成的脈沖觸發系統被廣泛應用于電力電子領域。但是要想可控硅正常運行就必須保證可控硅的抗干擾能力。本文就來講解可控硅受到干擾是因為哪些原因。
2015-12-08
可控硅 干擾
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如何讓開關電源適配器更加安全？
工程師在設計開關電源適配器新產品的過程中，總會給產品添加一些保護措施。無可厚非，就是為了避免開關電源適配器在運行過程中出現了元件損壞、短路等現象。從而縮短了開關電源適配器的工作壽命。本文就來分享延長開關電源適配器的保護措施。
2015-12-07
開關電源適配器 電源
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使用指南：雙向可控硅你必須知道的十大準則
可控硅因其結構簡單，僅需一個觸發電路就可以工作的優勢被作為交流開關器件，并且應用越來越廣泛。本文主要講述的就是雙向可控硅完美工作時必備的十大準則。
2015-12-07
MCU 控制技術 雙向可控硅
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逆變電源傳導輻射超標了，怎么辦？
本文對于逆變電源中的輻射超標問題進行了探討，以達人經驗分享為主，解析了當輻射超標時的解決建議與檢查思路，從而對遇到同樣問題的設計者進行幫助，希望大家在閱讀過本文之后能夠有所收獲。
2015-12-07
逆變電源 傳導輻射
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對于高壓開關柜母排來說熱縮管必要嗎？
在對高壓開關柜母排進行選擇時，設計者通常只較為關心回路額定電流與回路動熱穩定參數方面。但實際上，對于非封閉類型的高壓開關柜母排來說，熱縮管也是非常有必要的存在。本文就將為大家介紹在非封閉類高壓開關柜中熱縮管的作用。
2015-12-04
高壓開關柜 熱縮管
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在使用模塊電源之前要注意哪些事項？
模塊電源因其效率高、體積小的優點在電源技術中被廣泛應用。這些優點是傳統電源不具備的。隨著體積和效率的雙重要求，模塊電源發揮優勢占領電源市場。模塊電源自然而然成為關注的焦點。本文就詳細介紹在使用模塊電源之前需要注意哪些事項。
2015-12-04
模塊電源 電源管理
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提高逆變效率的整機轉換效率要怎么做？
逆變效率影響著整體的設計效率。所以很多的設計工程師都會關注逆變效率和整機轉換效率。轉換效率在逆變效率中的典型特點就是效率永遠小于1.原因是因為逆變器內的逆變電路會產生損耗。產生的能量損耗使得輸出功率比輸入功率小。本文就來針對逆變效率中的整機轉換效率做出講解。
2015-12-04
逆變效率 整機轉換效率
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