5個(gè)N溝道MOSFET和1個(gè)MOSBD- 提供了低電感結(jié)構(gòu)
- 額定電流范圍為13A~26A
- 輸入電容從999~2200微微法
- 反向傳輸電容為54~140pF
- 用于同步DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
東芝美國(guó)電子元器件公司(TAEC)提供采用TSON高級(jí)封裝的6個(gè)器件30V MOSFET。這些新器件可用于同步DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，包括移動(dòng)和臺(tái)式電腦、服務(wù)器、游戲機(jī)和其它電子器件領(lǐng)域，它們需要用于子系統(tǒng)如：處理器、存儲(chǔ)器和其它點(diǎn)負(fù)載器件的輸入電壓轉(zhuǎn)換。(Toshiba)器件由東芝公司開(kāi)發(fā)，采用15和16代UMOS V-H和UMOS VI-H處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低側(cè)MOSFET的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷(QSW)的高側(cè)MOSFET的快速轉(zhuǎn)換速度。薄型、緊湊型3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON高級(jí)封裝，與廣泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封裝相比,降低了64%的安裝面積，同時(shí)達(dá)到了1.9W的同等功耗。
新產(chǎn)品包括5個(gè)N溝道MOSFET和1個(gè)MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結(jié)構(gòu)，因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性，使設(shè)計(jì)人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值），反向傳輸電容(Crss)為54~140pF(典型值)。
價(jià)格和供貨情況：
現(xiàn)可提供Toshiba MOSFET系列的最新推出的產(chǎn)品樣品，采用TSON封裝，已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。樣品數(shù)量?jī)r(jià)格起價(jià)為$0.35。
