- 開關速度和損耗均得到改善
- 具有500V電壓等級
- 具有低至63ns的trr和114nC的Qrr
- 柵極電荷為34nC
- 電子設計
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現更高的效率，同時避免出現導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味著低傳導損耗，可以在用于LIPS逆變器、HID、PC電源和鎮(zhèn)流器的LLC、全橋、半橋和雙管正激拓撲中節(jié)省能源。
為了能可靠地工作，該器件進行了完備的雪崩測試，可處理22A的脈沖峰值電流和8A的連續(xù)電流(由最高結溫限定)。
SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封裝，符合RoHS指令2002/95/EC。
新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。
