- 采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝
- 具有超低的導(dǎo)通電阻
- 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 游戲機及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備
Vishay 近日宣布推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET——SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝。
通過推出SiA975DJ，Vishay將其第三代P溝道TrenchFET技術(shù)擴展到雙路12V功率MOSFET，并且采用了適用于手持式電子設(shè)備的超小PowerPAK SC-70封裝。新器件可用于游戲機及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備中的負(fù)載、PA和電池開關(guān)。
對于這些設(shè)備，SiA975DJ的更低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，使器件能夠用比以往市場上采用超小封裝的雙路P溝道功率MOSFET更少的能量完成開關(guān)工作，從而延長兩次充電之間的電池壽命。MOSFET的低導(dǎo)通電阻還意味著在峰值電流下的電壓降更低，能夠更好地防止IC和負(fù)載出現(xiàn)欠壓鎖定情況。這樣，設(shè)計者就可以使用電壓更低的電池。
SiA975DJ具有超低的導(dǎo)通電阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為41mΩ、60mΩ和110mΩ。最接近的20V P溝道器件的柵源電壓等級為8V，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻為60mΩ和80mΩ。這些數(shù)值分別比SiA975DJ高32%和25%。
SiA975DJ的PowerPAK SC-7封裝占位只有2mm x 2mm，是TSOP-6尺寸的一半，而導(dǎo)通電阻則相差無幾。MOSFET經(jīng)過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范，符合RoHS指令2002/95/EC。
新款SiA975DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
