- 高效率
- 優(yōu)異的耐用性
- 較低的輸出電容，提高了 Doherty 應用中性能
- 記憶效應低，提供優(yōu)良的預失真能力
- 內部匹配，易于使用
- 多載波應用，頻率范圍在 2.5GHz 到2.7GHz 之間
- 用于 W-CDMA 和 LTE 基站的射頻功率放大器
NXP 半導體推出了一款新的 90W LDMOS 功率晶體管，BLG7G27LS-90P，應用于基站，工作頻率從 2.5GHz到 2.7GHz。BLF7G27LS-90P 是推挽晶體管，采用 NXP 的第七代 LDMOS 技術，采用熱增強型陶瓷封裝。
在單載波W - C D M A 信號的A B類電路中， 平均輸出功率2 5 W時，BLF7G27LS-90P 可提供 35％ 的效率和 18.5dB 增益。在這些條件下，如相鄰通道功率給出的，線性度通常是-36dBc。要獲得此性能，可以從 28V電源驅動設備，也可以用高達 32V 電源電壓驅動。
BLF7G27LS-90P 是一個堅固的晶體管，它能夠承受對應于 VSWR= 10:1 通過各個階段的不匹配負載，在目前發(fā)現(xiàn)W-CDMA 和 LTE 系統(tǒng)許多故障的形勢下，使其成為產(chǎn)品生存的安全選擇。產(chǎn)品的設計和熱增強型封裝，在典型工作條件下測量， 會產(chǎn)生一個低至0.4K/W 的熱阻。憑借這一特點，設備將可在低結合點溫度下運行，確保在數(shù)年的產(chǎn)品周期中性能穩(wěn)定可靠。BLF7G27LS-90P 在 SOT1121B 中，四線無耳陶瓷式封裝。還提供一個有耳式版本，BLF7G27L-90P。
應用:
多載波應用，頻率范圍在 2.5GHz 到2.7GHz 之間
用于 W-CDMA 和 LTE 基站的射頻功率放大器
特點：
高效率
優(yōu)異的耐用性
較低的輸出電容，提高了 Doherty 應用中性能
記憶效應低，提供優(yōu)良的預失真能力
內部匹配，易于使用
