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江西首個多晶硅生產項目在樟樹正式投產
10月23日，引進世界領先技術、一期總投資達5000萬美元，年產多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產項目在江西樟樹正式投產，這是江西省首個投產的多晶硅生產項目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹
本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過流保護的工作原理，其次分析了環(huán)境溫度對高分子PTC熱敏電阻的影響，最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動作后的恢復特性。
2008-10-23
高分子PTC熱敏電阻 過流保護 環(huán)境影響
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高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹
本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過流保護的工作原理，其次分析了環(huán)境溫度對高分子PTC熱敏電阻的影響，最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動作后的恢復特性。
2008-10-23
高分子PTC熱敏電阻 過流保護 環(huán)境影響
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ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)
本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。
2008-10-23
ESD測試工具 TLP
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保護二極管都有相同的保護效果？
本文針對目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護器件得出安森美的保護器件更具競爭性和優(yōu)越性。
2008-10-23
ESD 保護二極管 箝位電壓
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過壓保護的備用電路: 技巧和竅門
過壓保護(OVP)器件用于保護后續(xù)電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應用中，基本的過壓保護電路不足以勝任器件保護的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...
2008-10-23
過壓保護 電路 MOSFET
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