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SiA***DJ:Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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VBUS052BD-HT:Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前,Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列,旨在保護(hù)兩個高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態(tài)電壓信號干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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VBUS052BD-HT:Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前,Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列,旨在保護(hù)兩個高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態(tài)電壓信號干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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VBUS052BD-HT:Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前,Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列,旨在保護(hù)兩個高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態(tài)電壓信號干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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B1642:EPCOS電纜調(diào)制解調(diào)器用聲表面波濾波器
愛普科斯(EPCOS)現(xiàn)可提供B1642聲表面波(SAW)濾波器,用于接收寬帶電視和接入因特網(wǎng)的電纜調(diào)制解調(diào)器。該產(chǎn)品專門針對國際第三代有線電纜數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)接口規(guī)范(DOCSIS 3.0標(biāo)準(zhǔn))而研發(fā),這一規(guī)范將主要應(yīng)用在美國和韓國。
2008-05-21
B1642 聲表面波濾波器 SAW濾波器
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MAX4996/MAX4996L:Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)MAX4996/MAX4996L,可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA),從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)
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MAX4996/MAX4996L:Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)MAX4996/MAX4996L,可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA),從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)
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TJ3-HT:Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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TJ3-HT:Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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