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家電行業(yè)庫(kù)存高壘 國(guó)慶慘烈價(jià)格戰(zhàn)開(kāi)打
“今年國(guó)慶期間，銷(xiāo)售壓力很大?！痹趶V州某連鎖賣(mài)場(chǎng)里，店長(zhǎng)看起來(lái)有著“畢其功于一役”的堅(jiān)決，“市場(chǎng)不景氣，但單店銷(xiāo)售任務(wù)跟去年相比基本不變，我們這個(gè)店，國(guó)慶期間要完成8000萬(wàn)的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)。如果達(dá)不到，估計(jì)全年業(yè)績(jī)都會(huì)很難看。”
2011-10-07
家電 下鄉(xiāng)政策 彩電事業(yè) 家電板塊
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家電行業(yè)庫(kù)存高壘 國(guó)慶慘烈價(jià)格戰(zhàn)開(kāi)打
“今年國(guó)慶期間，銷(xiāo)售壓力很大?！痹趶V州某連鎖賣(mài)場(chǎng)里，店長(zhǎng)看起來(lái)有著“畢其功于一役”的堅(jiān)決，“市場(chǎng)不景氣，但單店銷(xiāo)售任務(wù)跟去年相比基本不變，我們這個(gè)店，國(guó)慶期間要完成8000萬(wàn)的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)。如果達(dá)不到，估計(jì)全年業(yè)績(jī)都會(huì)很難看?！?/p>
2011-10-07
家電 下鄉(xiāng)政策 彩電事業(yè) 家電板塊
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開(kāi)關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動(dòng)
開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，但我們?cè)谶M(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會(huì)先對(duì)一些非主要問(wèn)題進(jìn)行簡(jiǎn)單化。例如，當(dāng)電源開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個(gè)很復(fù)雜的過(guò)程...
2011-10-07
開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)管 導(dǎo)通 截至
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開(kāi)關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動(dòng)
開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，但我們?cè)谶M(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會(huì)先對(duì)一些非主要問(wèn)題進(jìn)行簡(jiǎn)單化。例如，當(dāng)電源開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個(gè)很復(fù)雜的過(guò)程...
2011-10-07
開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)管 導(dǎo)通 截至
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開(kāi)關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動(dòng)
開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，但我們?cè)谶M(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會(huì)先對(duì)一些非主要問(wèn)題進(jìn)行簡(jiǎn)單化。例如，當(dāng)電源開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個(gè)很復(fù)雜的過(guò)程...
2011-10-07
開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)管 導(dǎo)通 截至
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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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USB 2.0與USB 3.0功能特性對(duì)比分析
對(duì)于開(kāi)發(fā)商而言，挑戰(zhàn)是如何充分利用USB 3.0的潛能。本文將探討使用USB 3.0硬件軟件設(shè)計(jì)問(wèn)題，本文主要介紹的是手持產(chǎn)品。首先，我們將比較USB 2.0和USB 3.0的性能，以及過(guò)渡到USB 3.0模塊影響到的器件。
2011-10-07
USB 2.0 USB 3.0 USB
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