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華盛頓大學研制出的LED 挑戰(zhàn)全球最薄

發(fā)布時間:2014-06-25 責任編輯:echotang

     【導讀】LED行業(yè)發(fā)展至今,質量不斷提升,價格不斷降低,現(xiàn)在工程師又將研發(fā)重心轉移到薄厚,今日華盛頓研發(fā)出超薄LED挑戰(zhàn)全球最薄。
 
  雖然LED發(fā)展到現(xiàn)在已經變得非常薄,但研發(fā)人員對這個「薄」的追求似乎永無止盡。日前,華盛頓大學的研究人員宣布他們研制出全球最薄的LED,只有3顆原子的厚度,是目前現(xiàn)有的技 術所能做到最薄的LED,其運用的重點成份為二硒化鎢(tungsten diselenide),是已知最薄的半導體。
 
 
  該項研究報告聯(lián)合作者徐曉東(Xiaodong Xu音譯)稱:這種薄度加上可摺疊的LED,將對未來便攜式集合電子設備的研發(fā)有相當重要的作用。
 
  另外,由于這種LED極其薄,所以未來研究人員可在某些微型計算機芯片中用光學信號代替現(xiàn)在所使用的電子,進而加大其運行效率,并降低在這一過程中產生的熱量。
 
    這種LED的厚度要比現(xiàn)在的LED薄上10到20倍,但依然可以發(fā)出可見的亮度。另外,這種薄型LED它既具有彈性也很堅固,還可摺疊,這樣的特性將大大增加了其靈活度,同時對未來可穿戴設備發(fā)展也將起推進作用。
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