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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為常“開”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。

2023-07-04

功率MOSFET  浪涌保護(hù)  高壓保護(hù)

典型 RC 波形

然后，通過改變RC時(shí)間常數(shù)或輸入波形的頻率，我們可以改變電容器兩端的電壓，從而產(chǎn)生Vc和時(shí)間t之間的關(guān)系。這種關(guān)系可用于改變各種波形的形狀，以便電容器兩端的輸出波形幾乎與輸入波形相似。

2023-07-04

RC 波形

精密低功耗信號鏈：具有可配置性的獨(dú)特交流耦合解決方案

在上一博客文章中，我們討論了在存在大得多的直流偏移和低頻干擾的情況下測量小信號時(shí)，交流和直流耦合信號鏈之間的權(quán)衡。我們還表明，高通濾波器在交流耦合信號鏈中的位置很重要，會影響CMRR、輸入阻抗和前端可應(yīng)用的增益量等性能指標(biāo)。實(shí)現(xiàn)高通濾波器功能的另一種有趣方法如下圖1所示。積分器電路...

2023-07-03

低功耗信號鏈`  交流耦合

測量三種不同類型的放大器增益

放大器增益的介紹可以說是輸出端測得的信號與輸入端測得的信號之間存在的關(guān)系。可以測量三種不同類型的放大器增益，它們是：電壓增益( Av )、電流增益( Ai ) 和功率增益( Ap )，具體取決于測量的量，下面給出了這些不同類型增益的示例。

2023-07-03

更強(qiáng)大的5G，需要更小的連接器！

我們正在加速進(jìn)入5G時(shí)代，這是一個(gè)不爭的事實(shí)。根據(jù)全球移動通信系統(tǒng)協(xié)會（GSMA）的研究數(shù)據(jù)，5G連接數(shù)在2022年超過10億個(gè)，到2025年將超過20億個(gè)，屆時(shí)5G連接將占總移動連接的五分之一以上。這一滲透速度遠(yuǎn)超之前的3G和4G。

2023-07-03

5G  連接器  Molex

精密低功耗：了解生物電位信號鏈中的CMRR和RLD

首先，我們談?wù)劦谌齻€(gè)電極在偏置中的用途。由于生物電勢信號和干擾源是完全差分的，理想情況下，測量電極的電路需要偏置在接近中間電源的某個(gè)地方。還應(yīng)考慮電路的共模輸入范圍。在雙電極溶液中，主體浮動到某個(gè)未知電位，因此必須添加電阻以向輸入提供直流偏置以及輸入偏置電流返回路徑。

2023-06-30

生物電位信號鏈  CMRR  RLD

降壓開關(guān)穩(wěn)壓器如何使用串聯(lián)晶體管

降壓開關(guān)穩(wěn)壓器是一種開關(guān)模式電源電路，旨在有效地將直流電壓從較高電壓降低到較低電壓，即減去或“降壓”電源電壓，從而降低輸出端可用的電壓端子無需改變極性。換句話說，降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器是降壓調(diào)節(jié)器電路，因此例如降壓轉(zhuǎn)換器可以將+12伏轉(zhuǎn)換為+5伏。

2023-06-30

開關(guān)穩(wěn)壓器  串聯(lián)晶體管

步進(jìn)電機(jī)構(gòu)造與控制

在上面的可變磁阻步進(jìn)電機(jī)的簡單示例中，電機(jī)由一個(gè)中心轉(zhuǎn)子組成，該轉(zhuǎn)子被四個(gè)標(biāo)記為A、B、C和D的電磁場線圈包圍。所有具有相同字母的線圈都連接在一起，因此通電（例如標(biāo)記為A 的線圈）將導(dǎo)致磁轉(zhuǎn)子與該組線圈對齊。

2023-06-30

步進(jìn)電機(jī)  電磁場線圈

MIMO系統(tǒng)與波束賦形（下篇）

在這篇文章我們來了解下NR 預(yù)編碼碼本的設(shè)計(jì)思路，預(yù)編碼與模擬波束賦形在Massive MIMO 上的結(jié)合，以及Keysight Multi Transceiver RF Test Set (E6464A/E6416A)在Massive MIMO 波束賦形測試中的應(yīng)用。

2023-06-30

MIMO  波束賦形