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預(yù)估面板設(shè)備投資總額將較去年下降63％
受面板廠持續(xù)虧損、市場(chǎng)需求高成長(zhǎng)不再影響，全球面板廠去年大砍資本支出，今（2012）年都還將進(jìn)一步下調(diào)。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去（2011）年全球TFT面板設(shè)備投資總額約130億美元，主要是國(guó)內(nèi)8.5代廠和AMOLED設(shè)備投資，今（2012）年預(yù)估面板設(shè)備投資總額還將下降63％，將是10年來(lái)新低。
2012-02-24
面板 AMOLED OLED TFT
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2012年平板計(jì)算機(jī)銷量上看億萬(wàn)臺(tái) iPad市占將維持60%左右
在蘋(píng)果的iPad 3即上市的的之際，2012年平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)才算正式開(kāi)打，根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)集邦科技(TrendForce)統(tǒng)合旗下WitsView(面板)、DRAMeXchange(NAND Flash)的研究數(shù)據(jù)，預(yù)估在2012年時(shí)全球平板計(jì)算機(jī)銷量將可望達(dá)到9,400萬(wàn)臺(tái)，比起2011年的6,200萬(wàn)臺(tái)，年成長(zhǎng)達(dá)53.1%。
2012-02-24
平板計(jì)算機(jī) 平板電腦 iPad
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透視2012年十大ICT產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵議題
工研院IEK歸納出十個(gè)將影響2012年產(chǎn)業(yè)的重大議題，包括零組件層的聲控或體感人機(jī)技術(shù)、系統(tǒng)封裝技術(shù)、行動(dòng)內(nèi)存、低耗電芯片與高畫(huà)質(zhì)面板等；終端產(chǎn)品層的智能電視平臺(tái)、Ultrabook PC、平價(jià)智能手機(jī)、3D電視等；還有平臺(tái)層的Windows反擊、巨量數(shù)據(jù)應(yīng)用等變革。
2012-02-24
ICT 3D電視 智能手機(jī) 平板電腦 智能電視
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μPA2812T1L：瑞薩發(fā)布低損耗高效P溝道MOSFET用于筆記本電腦
先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案之頂尖供應(yīng)商瑞薩電子宣布推出5款低損耗P-Channel金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括針對(duì)筆記型電腦鋰離子二次電池之充電控制開(kāi)關(guān)，以及AC變壓器電源供應(yīng)開(kāi)關(guān)之電源管理開(kāi)關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的μPA2812T1L。
2012-02-23
μPA2812T1L 瑞薩 MOSFET
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PCB電路板溫升因素分析及散熱方式探討
電子設(shè)備工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，使設(shè)備內(nèi)部溫度迅速上升，若不及時(shí)將該熱量散發(fā)，設(shè)備會(huì)持續(xù)升溫，器件就會(huì)因過(guò)熱失效，電子設(shè)備的可靠性將下降。因此，對(duì)電路板進(jìn)行散熱處理十分重要。本文將在分析引起印制電路板溫升的因素的基礎(chǔ)上，介紹幾種實(shí)用的電路板散熱方式。
2012-02-23
PCB 電路板 散熱 溫升
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電容的選型技巧和應(yīng)用趨勢(shì)
電容有很多種命名方法，按照功能分，包括旁路電容，去耦電容，濾波電容等。在電路中，電容的應(yīng)用非常廣泛，因此如何選擇適合和電容器就成了許多工程師關(guān)注的話題。本期半月談將聚焦電容在不同場(chǎng)合的選型和應(yīng)用，同時(shí)展望電容在應(yīng)用市場(chǎng)上呈現(xiàn)的趨勢(shì)。
2012-02-22
電容 濾波電容 電容器
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PCB高速信號(hào)完整性整體分析設(shè)計(jì)
信號(hào)完整性問(wèn)題是高速PCB設(shè)計(jì)者必需面對(duì)的問(wèn)題。阻抗匹配、合理端接、正確拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決信號(hào)完整性問(wèn)題的關(guān)鍵。傳輸線上信號(hào)的傳輸速度是有限的，信號(hào)線的布線長(zhǎng)度產(chǎn)生的信號(hào)傳輸延時(shí)會(huì)對(duì)信號(hào)的時(shí)序關(guān)系產(chǎn)生影響，所以PCB上的高速信號(hào)的長(zhǎng)度以及延時(shí)要仔細(xì)計(jì)算和分析。
2012-02-22
PCB 高速信號(hào) 信號(hào)完整性 阻抗匹配
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同步升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中MOSFET的選擇要素分析
在個(gè)人計(jì)算機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域，隨著為核心DC-DC轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)的同步升壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率向著1MHz-2MHz范圍轉(zhuǎn)移，MOSFET的損耗進(jìn)一步增加。如果考慮其它支配損耗機(jī)制的參數(shù)，如電源輸入電壓和門(mén)極電壓，就要處理更為復(fù)雜的現(xiàn)象，還會(huì)遇到可能造成損耗極大惡化并降低電源轉(zhuǎn)換效率(ξ)的二次效應(yīng)，及體二極管反向...
2012-02-22
同步升壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET 轉(zhuǎn)換器
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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒(méi)有像移動(dòng)手機(jī)連接器之類的終端設(shè)備，零瓦充電器就會(huì)停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，其設(shè)計(jì)是對(duì)現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補(bǔ)充。
2012-02-22
IMF TE 零瓦電路 繼電器
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