產(chǎn)品特點：
- 導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因素分別降低40%和34%
- 對于80V系列而言，功率損耗降低10%
應(yīng)用領(lǐng)域：
- 開關(guān)模式電源（SMPS）、電機控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品
英飛凌科技宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。
OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關(guān)模式電源（譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務(wù)器裝備的電源）的同步整流的理想選擇。電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動計劃發(fā)起的80PLUS Gold金牌認證規(guī)定的新能效目標(biāo)，要求在美國能源之星計劃當(dāng)前的要求基礎(chǔ)上再使計算機的能效提高約10％。英飛凌此次新推出的OptiMOS 3 75V功率MOSFET可以幫助滿足這些規(guī)范。英飛凌的OptiMOS 3 75V器件采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，相對于同類器件而言，導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因素分別降低40%和34%，結(jié)果可使SMPS的同步整流級的功率損耗降低高達10%。
目前，采用英飛凌N溝道OptiMOS 3工藝制造的器件型號已接近100個，每款都具備最低的導(dǎo)通電阻、極低的柵極電荷，降低產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和整體功耗。例如，OptiMOS 3 80V系列已成為電源同步整流的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。全新推出的OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列相對于80V系列而言，功率損耗降低10%，確保客戶達到更加嚴(yán)格的能效要求。
導(dǎo)通電阻最低溫度系數(shù)［<0.7%/°K］等特性，確保在溫度升高時，實現(xiàn)極低的導(dǎo)通損耗。更低的功率損耗消除了多器件并聯(lián)需求，并允許采用較小的散熱器，從而降低了系統(tǒng)成本。
英飛凌OptiMOS 3 75V功率MOSFET還有助于客戶設(shè)計出更加緊湊的電源。例如，采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3 75V器件可用于代替同等功率密度的D-PAK器件。這可使占板空間、垂直高度和封裝寬度分別降低60%、77%（從4.44毫米降至1毫米）和50%左右（從10.1毫米降至5.15毫米）。另外一案例，英飛凌還推出了采用TO-220封裝、典型導(dǎo)通電阻為2毫歐的高功率OptiMOS 3 75V功率MOSFET器件，可替換兩顆替代性器件。
供貨情況
英飛凌OptiMOS 3 75V 功率MOSFET系列包含一款采用SuperSO8封裝、導(dǎo)通電阻為4.2毫歐的器件，單價為0.7美元（訂購量達到10,000顆）；同時，當(dāng)訂購量達到10,000顆時，采用TO-220、TO-262和D?PAK封裝的型號的單價分別為0.65美元（導(dǎo)通電阻等級為5毫歐）、0.9美元（導(dǎo)通電阻等級為3毫歐）和1.7美元（導(dǎo)通電阻等級為2毫歐）。
