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氮化鎵已為數字電源控制做好準備

發布時間:2021-01-15 責任編輯:wenwei

【導讀】術語“準備就緒”竟然有如此多不同的含義,真是有趣。若您兒孫滿堂,“準備就緒”是指您需要輪流做許多準備;我們不會離開30分鐘。在飛機上,“準備就緒”意味著收起您的手機;這樣,飛機最終才能安全起飛。
 
我們已聽到我們的行業代言人宣布,“GaN將迎來黃金發展時間。”這一公告似乎在暗示,GaN已準備好出現在廣大聽眾、用戶或為數眾多的應用面前。這也表明,GaN技術已經如此成熟,不能認為它是一個有問題的技術。我會讓您自己決定哪些東西是正確的。
 
因此,當我說“GaN已為數字電源控制做好準備”時,您懂我的意思嗎?測試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發過程。多數情況下,電源設計人員使用數字控制來演示GaN應用。這可能是因為數字化控制的靈活性較好,能夠讓設計人員精確控制開關波形。也可能是數字控制可以提供克服任意GaN缺點的多個控制回路和保護電路。
 
我認為,“GaN已為數字電源控制做好準備”的含義比我上述提到的更豐富,但它也意味著數字控制也做好準備迎接GaN。對于做好準備迎接GaN的數字電源控制來講,它需要時間基分辨率、采樣分辨率和計算馬力用于更高的開關頻率、更窄的占空比和精確的死區時間控制。圖1和2所示為硅(Si)MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時間。圖中數字顯示死區時間存在兩倍的差異,硅 MOSFET速度更慢。此外,GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細的邊緣控制非??扇 ?/div>
 
GaN可在無需支付后續費用的情況下增大開關頻率。利用這一優點,可以在功率級中縮小無源元件尺寸,并加快瞬變響應速度。但是,要對這些較高頻率進行所需的控制,控制電路速度必須更快。例如,采樣和轉換時間需要足夠快,才不會限制占空比寬度或相位延遲。此外,接下來針對控制工作的計算需要足夠快,以不限制開關速度。對于如今頻率大于1MHz的開關電源,需要在少數100ns中完成采樣和轉換。計算延遲也必須處于這一范圍。
 
幸運的是,多年來,我們生產的數字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數字電源控制器都能滿足這些需求,但是至少電源設計人員有選擇權。
 
因此,GaN為數字電源控制做好準備了嗎?我們得到的答案更多是數字電源控制已準備好迎接GaN。因此,隨著GaN繼續開發,并應用于高密度和高性能電源解決方案,我們不必等待開發控制器時要借助GaN帶給行業的優勢。因此,這就是“準備就緒”的含義:它是指“現在就開始”。
 
您對這個問題有什么看法呢?
 
氮化鎵已為數字電源控制做好準備
圖1:諧振LLC硅MOSFET死區時間
 
氮化鎵已為數字電源控制做好準備
圖2:LLC GaN MOSFET死區時間
 
 
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