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比傳統元件尺寸小數千倍的光漩渦器件芯片問世
由英國、中國等四所大學研究團隊聯合課題組新發明的光漩渦器件芯片只有幾微米大，比傳統的元件尺寸小數千倍，并且能夠大規模、低成本制作，將被廣泛應用于通信、傳感和微粒操控等領域。
2012-10-25
光漩渦器件 發射器件 光束
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HiFi功率放大器設計BOM
這個簡單的低成功率放大器。可以5種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測試末極功率管的放大系數hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會提供一個清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。
2012-10-24
HiFi 功率放大器 BOM
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封裝面積減小4成，支持LTE的RF模塊
村田制作所開發出用于LTE智能手機的小型RF收發模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內置技術，使用樹脂基板而非陶瓷基板實現了模塊，該模塊集成了LTE收發信息所需要的RF收發器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。
2012-10-24
LTE RF模塊 村田
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可支持15種頻帶的FBAR濾波器
安華高此前的FBAR濾波器支持5種頻帶，但世界各地的LTE服務使用了多種頻帶，因此此次擴大了支持的頻帶數量。此次增加了對700MHz頻帶、900MHz頻帶及2.6GHz頻帶等15種頻帶的支持。安華高表示，這一舉措使該公司的FBAR濾波器得到了大量智能手機的采用。
2012-10-24
FBAR 濾波器 安華高
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從直流到18 GHz氮化鎵產品選擇
全球市場對氮化鎵技術的需求還在不斷增長，TriQuint與Richardson RFPD合作提供的TriQuint 氮化鎵產品包括放大器、晶體管和開關，可提高射頻效率、降低總成本和增強系統堅固性。提供世界級、從直流到18 GHz的氮化鎵產品創新，包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。
2012-10-24
氮化鎵 放大器 晶體管
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完美結合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿足市場對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術制造的射頻功率產品提供新級別的線性和耐用性。
2012-10-23
射頻 飛思卡爾 晶體管
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可支持300MHz到2.8GHz的頻段的LTE收發器
隨著無線寬頻的需求日漸擴大，全球電信服務業者也加速將第四代的LTE高速無線通訊標準導入手機與數據卡終端設備。Aviacomm發表最新LTE智能型射頻收發器，可支持300MHz到2.8GHz的頻段，不僅在功能上取代多芯片的集成方案，在系統設計上，也簡化工程開發時間。
2012-10-23
LTE 收發器 無線寬頻
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集成5GHz JESD204B串行接口的8通道超聲接收器
ADI的AD9671 8通道超聲接收器集成5Gb數據轉換接口，支持更高的數據速率和通道數，可用于手推式和便攜式超聲設備。通過集成該5Gb JESD204B接口，ADI的全新AD9671 8通道接收器與其它數據接口標準相比，可減少多達80%的超聲系統I/O數據路由。
2012-10-18
便攜醫療 接收器
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用于二次監視雷達航空應用的RF晶體管
航天、軍工的產品級別總是高于一般商用，高可靠性和對溫度的高要求，并不是每個商用級別的廠商可以輕易達到的。Microsemi發布用于二次監視雷達航空應用的RF晶體管，可以提供700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 漏極效率，以期降低總體漏極電流和熱耗散。
2012-09-12
RF 雷達 航天 軍事
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