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一顆NOR，撐起AI耳機、ADAS與HBM4服務器的底層信任
在半導體存儲領域，NOR Flash雖不如DRAM或NAND Flash廣為人知，卻憑借其“芯片內執行”（XIP）、高可靠性、快速啟動和長數據保留等獨特優勢，在物聯網、汽車電子、AI終端及AI服務器等關鍵場景中扮演著不可替代的角色。從上世紀80年代誕生至今，NOR Flash已從功能機固件存儲走向智能時代的高性能剛需元件。尤其在AI與自動駕駛浪潮推動下，其市場需求激增、價格上揚，并催生本土MCU企業加速布局“MCU+存儲”生態。與此同時，3D NOR Flash技術的突破更將存儲密度與性能推向新高度，為行業打開全新成長空間。
2026-02-12
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10nm以下DRAM，三星DRAM技術突破存儲行業版圖
10納米以下節點的技術突破成為行業發展的關鍵門檻。三星電子與三星綜合技術院聯手，在IEEE國際電子器件會議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術，為這一領域帶來了歷史性突破。這項以非晶態銦鎵氧化物材料為核心的創新，不僅攻克了CoP架構量產的高溫工藝難題，更以扎實的穩定性數據為0a、0b世代DRAM的商用鋪平道路，其對全球存儲芯片行業的重構價值值得深入關注。
2025-12-18
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有機基板 + 精簡引腳，SPHBM4 的雙重技術突破
SPHBM4在沿用標準HBM4 DRAM核心層、保障容量擴展能力的基礎上，通過接口基礎裸片的創新性設計實現了關鍵突破——I/O數據引腳數量銳減至標準HBM4的四分之一。依托有機基板替代硅基板、更高工作頻率及4:1串行化技術的協同作用，這款新型內存不僅適配更低凸點間距密度的材料特性，更為提升單一封裝內存堆棧數量、拓展系統總容量開辟了新路徑，將對高性能計算存儲領域產生深遠影響。
2025-12-12
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國產超強手機內存長鑫LPDDR5X來了
近日，長鑫存儲（CXMT）正式宣布，已成功實現LPDDR5X系列內存芯片的研發與量產，標志著我國在高端移動存儲技術領域實現關鍵突破。這一里程碑進展不僅填補了國產DRAM在旗艦級手機應用中的空白，也意味著國產高端智能手機正加速擺脫對美韓存儲芯片的長期依賴。
2025-10-27
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華邦電子重新定義AI內存：為新一代運算打造高帶寬、低延遲解決方案
隨著高效能運算（HPC）工作負載日益復雜，生成式 AI 正加速整合進現代系統，推動先進內存解決方案的需求因此日益增加。為了應對這些快速演進的需求，業界正積極發展新一代內存架構，致力于提升帶寬、降低延遲，同時增加電源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型內存技術的突破正重新定義運算效能，而專為 AI 優化的內存方案，則扮演了驅動效率與擴展性的關鍵角色。華邦的半定制化超高帶寬元件 (CUBE) 內存即是此進展的代表，提供高帶寬、低功耗的解決方案，支持 AI 驅動的工作負載。本文將探討內存技術的最新突破、AI 應用日益增長的影響力，以及華邦如何透過策略性布局響應市場不斷變化的需求。
2025-08-28
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14.4Gbps 狂飆！Cadence 全球首發 LPDDR6/5X IP 點亮下一代 AI
楷登電子（Cadence，NASDAQ：CDNS）近日成功流片業界首款LPDDR6/5X內存IP系統解決方案，支持14.4Gbps超高速率，較前代LPDDR DRAM性能提升50%。該方案專為新一代AI基礎設施設計，可滿足大語言模型（LLM）、智能代理等計算密集型應用對內存帶寬與容量的嚴苛需求。目前，Cadence正與全球頭部AI、高性能計算（HPC）及數據中心客戶展開深度合作，共同推動AI算力架構的存儲升級。
2025-07-17
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優的性能。
2024-11-20
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DigiKey開售Kingston的內存產品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品制造商之一，Kingston 面向各種規模的工業和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一系列專為系統設計師和制造者打造的工業級 SATA 和 NVMe 固態硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優秀集成方案。如果晶圓測試數據不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-29
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DDR5 時代來臨，新挑戰不可忽視
在人工智能（AI）、機器學習（ML）和數據挖掘的狂潮中，我們對數據處理的渴求呈現出前所未有的指數級增長。面對這種前景，內存帶寬成了數字時代的關鍵“動脈”。其中，以雙倍數據傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術作為動態隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進，極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現了顯著的進步。
2023-10-20
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為什么消費類DRAM無法滿足工業應用需求？
消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。
2023-09-25
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為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅動電流，鐵電體正在接受認真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器，填補 DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實上，用于存儲器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設備會議的兩個亮點。
2022-12-30
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