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安森美已鎖定共計19.5億美元訂單，為多家領先光伏逆變器制造商提供長期供貨
2023 年7月 27日—智能電源和智能感知技術的領先企業安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布已鎖定共計19.5億美元的長期供貨協議 (Long-term Supply Agreement, LTSA)，為多家領先的光伏逆變器制造商提供智能電源技術，進一步鞏固了安森美在這一快速增長領域的頭部功率半導體供應商地位。
2023-08-01
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派恩杰半導體將于11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會
11月1日-3日，中國第三代半導體功率器件的領先品牌--派恩杰半導體將于廣州保利世貿博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會。
2023-07-31
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11月，思博倫通信Spirent與您相約 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會
11月1日-3日，思博倫通信Spirent將攜重磅產品亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會。
2023-07-31
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構
自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。
2023-07-28
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電源設計更快更好，高效能圖騰柱PFC應用須知
現今電源供應器市場為因應全球減碳活動，已經將效能目標設定為更高效率、減少損失、節省能源、降低成本、提高系統容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設計方案，相較傳統PFC之轉換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應器之節省能源，降低成本，提高系統容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負載暫態補償響應，以及高規格安規等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應后級電源時序控制，NCP1680/1681應用達到高效率，高功率因子，以及高穩定性PFC應用。
2023-07-28
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基于PSoC 6 Matter的智能家居解決方案
近年來，智能家居產業的快速發展，推動了原有家居產業園區的轉型升級，同時，不斷擴大的智能家居市場需求，以及傳統家居產業的轉移，為很多地方布局新的智能家居產業園建設帶來了機會。在2019年底中國已成為全球最大的物聯網市場，全球15億臺蜂窩網絡連接設備中9.6億臺來自中國，占比64%。
2023-07-26
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為什么Tier1要開發控制器的電源管理芯片？
電源管理芯片（SBC：System Base Chip）是控制器（MCU）外圍器件工作電壓的提供者，沒有SBC供電，控制器的外圍器件則無法工作。使用SBC主要目的：降低硬件系統設計的復雜度和成本。可見，SBC在控制器開發中的重要性。對于商業行為，我們知道，降低成本意味著利潤的提高，而且，有利于產品搶占更大的市場份額。
2023-07-26
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基于自振蕩混頻的X波段單器件收發電路設計分析
作為通信系統中的兩個關鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關重要的作用。在無線通信中，混頻器與振蕩器的設計直接關系到整個電路是否具有高性能與高穩定性的品質。在接收前端電路中，混頻器作為實現頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號源進行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號。
2023-07-26
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作， 協議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領行業的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術優勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識，接下來介紹開關損耗提取技術和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開關損耗環境的概念和優勢。該虛擬環境還可用來研究系統性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLECS 模型以及相關的影響。總結部分闡明了安森美工具比業內其他用于電力電子系統級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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