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導通損耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi擴展其NPT IGBT產品系列，發布三款1200V IGBT新產品。相比競爭產品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關性能，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。
2012-09-13
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發力電機驅動應用，飛兆半導體推最新IGBT
此次，飛兆半導體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機驅動效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿足嚴格的能效指標。
2012-09-10
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簡單實現晶閘管直流穩壓器的過流保護
盡管功率場效應VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導體元器件層出不窮，且在電力電子技術領域占據重要位置，晶閘管（可控硅） 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性，仍有著穩固的陣地，受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執行等多個環節的情況下，將單結晶體管移相觸發器中的晶體管誤差放大器改為集成運算放大器，就可實現晶閘管直流穩壓器的過流及短路保護，簡化了電路結構，并提高了整機的穩定可靠性能和AC - DC變換效率。
2012-08-29
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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開關損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關損耗，在不犧牲系統總體效率的情況下，可以支持更高的開關頻率。設計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現更高的輸出功率。
2012-06-21
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羅姆實現SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關頻率
2012-06-18
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Fairchild推出低功耗點火IGBT器件，可將VSAT降低多達20%
為了滿足現今和新興點火系統對排放和高燃油效率的嚴苛要求，汽車設計人員需要更高性能的點火線圈驅動器技術。為幫助設計人員滿足這些要求，飛兆半導體公司推出了在較小的占位面積下具有更低功耗的最新一代點火IGBT器件。EcoSPARK2、FGD3040G2和FDG3440G2點火線圈驅動器可將VSAT降低多達20%，而不會顯著降低自箝位感性負載開關的能量。這項優化特性減低了功耗和工作結溫，并降低了對散熱器的要求。
2012-06-04
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IR 600V車用COOLiR IGBT開關速度比肩MOSFET
國際整流器公司 (IR)推出600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，能夠以MOSFET一樣快的開關速度運行，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。
2012-05-30
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英飛凌推出光伏發電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，新產品的主要用途為光伏發電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現裝置的小型輕量化。這是因為新產品可實現高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產品，所以能夠實現整個裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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IR針對EV|HEV推出600V超高速開關、耐用高頻IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，它能夠以和MOSFET一樣快的開關速度運行，同時在高電平下還提供更高的效率。COOLiRIGBT適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。
2012-05-23
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BM6103FV-C:羅姆推出業內最小車載用內置絕緣元件的柵極驅動器
日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部位于日本京都市）開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。
2012-05-22
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業界最小！羅姆開發出車載用內置絕緣元件的柵極驅動器
羅姆株式會社開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。本產品融合了羅姆獨創的BiCDMOS技術與新開發的片上變壓器工藝技術，作為內置了絕緣元件的柵極驅動器，是業界最小(截至2012年5月22日,根據羅姆的調查)的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護功能和品質要求，可減少設計時的工作量。
2012-05-22
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。
2012-05-21
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