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未來四年全球芯片市場的CAGR可達8%，NAND增速最高
市場調研公司ICInsights近日發布報告稱，2011年至2016年期間全球芯片市場的復合年均增長率（CAGR）可達8%，其中NAND閃存芯片市場增速最高，將達到16.6%。
2012-08-17
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專業SSD廠商處境艱難，NAND閃存后來居上
股價下跌，專業SSD廠商面臨著更大的內部挑戰與市場難題，SSD產業正在進入強調規模、質量和效率的時代，而不是依靠單個產品的性能。NAND供應增加和爭奪超級本設計訂單的競爭加劇，促使今年SSD價格大幅下降，這將讓自身存在局限的專業SSD廠商處境更加艱難，尤其是面對規模較大的存儲領域競爭對手的時候。
2012-07-09
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緩存SSD仍是超級本中的王者，東芝NAND業績出色
對于越來越受歡迎的超級本來說，含有內置NAND閃存層的混合型硬盤(HDD)，可能具有整合存儲的優勢，但緩存固態硬盤(SSD)仍將是超級本的主流存儲解決方案。緩存SSD已然是超級本的主要存儲形式，今年出貨量將從去年的86.4萬個增長到2390萬個，暴增2660%。明年出貨量將上升到6770萬個，2015年將突破一億大關，到2016年達到1.63億個。
2012-06-26
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Spansion推出40nm級浮柵工藝的3.0V單層單元NAND閃存樣品
SLC NAND的主要特點為：存儲容量在1Gb-8Gb；25μs隨機存取，25ns順序存取，200μs編程速度，10萬次寫入周期；1位錯誤校正碼(ECC)；工作溫度范圍在-40℃至85℃；10年使用壽命。適于車載信息娛樂、機頂盒/電視等及無線通信基站的嵌入式數據存儲。
2012-06-11
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閃存領先廠商面臨新競爭，三星在手機市場領跑
生產穩健和價格激進，幫助美光和海力士半導體第四季度在全球NAND閃存市場中取得良好業績，縮小了與市場領先廠商之間的市場份額差距，并為2012年進一步擴大份額奠定了基礎。而三星電子第一季度取代諾基亞，首次成為全球最大的手機品牌。但三星在智能手機市場仍然排名第二，在蘋果之后。
2012-05-11
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Spansion與SK海力士宣布NAND戰略合作
Spansion公司與SK海力士公司近日宣布結成戰略同盟，并針對嵌入式應用市場發布4x、3x、2x節點Spansion SLC NAND產品。基于雙方合作開發的首款Spansion? SLC NAND產品將于2012年第二季度面世。作為合作的一部分，雙方將同時簽訂專利交互授權協議。
2012-04-11
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UFS出現并不能威脅到eMMC NAND閃存的統治地位
雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規范的產品出現，2013年將在移動NAND閃存市場引發新的技術競爭，但較舊的嵌入多媒體存儲卡(eMMC)標準在許多手機和平板電腦中仍將保持統治地位，屆時出貨量將強勁增長37%。
2012-03-31
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存儲技術變局為中國制造帶來了什么機遇？
縱觀半導體發展歷史，一種新興技術的出現，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產業的轉型，新技術是變革者趕超傳統技術列強的利器，也是產業升級的動力源，現在，我們又將迎來新一輪的存儲技術變局——以NAND FLASH為代表的半導體存儲技術會給我們的本土企業帶來了什么機遇？這里結合自己的體會聊做分析。
2012-03-29
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憑借存儲密集型產品的支持，NAND產業經受住日本地震的打擊
日本災害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續給日本民眾與經濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業方面存在一線希望，即災害對于NAND閃存產業的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產業之一。據IHS公司的資料與分析，在日本發生災害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態硬盤(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升，NAND產業繼續增長。
2012-03-16
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2012年平板計算機銷量上看億萬臺 iPad市占將維持60%左右
在蘋果的iPad 3即上市的的之際，2012年平板計算機市場的爭奪戰才算正式開打，根據產業研究機集邦科技(TrendForce)統合旗下WitsView(面板)、DRAMeXchange(NAND Flash)的研究數據，預估在2012年時全球平板計算機銷量將可望達到9,400萬臺，比起2011年的6,200萬臺，年成長達53.1%。
2012-02-24
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3D電視滲透率分析及電視出貨量情況
據DisplaySearch不同的消費行為和電視品牌的市場策略使全球電視產品呈現多元化，區域性差異也日益突出。根據NPDDisplaySearch最新季度報告QuarterlyTVDesignandFeaturesReport指出，西歐和中國是3D電視最具發展活力的地區；而在北美，第三季度3D電視出貨有所下降。
2011-12-31
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簡化設計 UniNand增強SOC對閃存兼容性
如何簡化SOC的設計，降低閃存對SOC的技術要求，增強SOC對閃存的兼容性，是閃存設計中值得考慮的問題。硅格半導體“UniNand”嵌入式智能閃存控制器通過創新的UniNand2.0接口，將SOC對閃存(Flash)的訪問操作轉變為SOC對該控制芯片的訪問操作，而由該控制芯片本身來完成對閃存的管理，成功解決上述問題，使SOC無需關注ECC及Flash兼容性管理，簡化SOC的設計。
2011-05-04
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