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如何正確地為太陽能逆變器應用選擇IGBT
介紹如何利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低.
2009-11-13
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STGW30N120KD/STGW40N120KD：低開關損耗1200V IGBT系列產(chǎn)品
日前，意法半導體（ST）推出新系列功率晶體管，可最大限度降低電機控制電路的兩大能耗源，降低家電、供暖通風空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、工業(yè)機床等日用設備對環(huán)境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款導通損耗很低的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），可降低開關損耗。
2009-10-21
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IGBT在客車系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復合電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優(yōu)點
2009-08-24
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新IGBT技術提高應用性能
在實際的開關中，存在大量的正向和開關損耗。因而設計中的熱阻對模塊性能來說是至關重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導體技術之間的區(qū)別，并展示在某些情況下新IGBT4技術所帶來的性能提升。
2009-07-28
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逆變電源的IGBT保護技術
本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="aawdrdw" class='red'>IGBT 采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2009-07-15
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IGBT驅(qū)動器輸出計算
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅(qū)動器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹 了一些計算用于開關IGBT的驅(qū)動器輸出性能的方法。
2009-07-15
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節(jié)能技術研討會閉幕 低碳經(jīng)濟催熱新型節(jié)能技術
2010年4月15日，深圳—電子元件技術網(wǎng)攜手第75屆中國電子展和China Outlook Consulting在深圳會展中心牡丹廳舉辦的“第三屆新型節(jié)能設計技術研討會”已圓滿結束。低碳經(jīng)濟及其技術實現(xiàn)，成為了研討會探討的焦點話題，LED照明電源設計、新型IGBT、儲能電容、MCU的節(jié)能應用，作為滿足當前新型節(jié)能減碳設計的最熱門技術，收到與會者的關注。有300名左右的專業(yè)聽眾參加了研討會的活動。
2009-07-14
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混合動力汽車前景看好 IGBT成驅(qū)動核心
混合動力汽車是大規(guī)模應用新能源汽車的切入點。功率半導體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。
2009-07-01
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ACPL-312U：安華高可在延伸溫度范圍下工作的2.5A 門極驅(qū)動光電耦合器
安華高科技推出業(yè)內(nèi)第一款可以在延伸溫度范圍下工作的 2.5A 門極驅(qū)動光電耦合器ACPL-312U。它具有高速響應，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工業(yè)溫度范圍，采用標準 DIP-8 封裝?？芍苯油苿舆_ 1200V/100A 的 IGBT 晶體管。
2009-05-27
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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滿足可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動應用 英飛凌擴產(chǎn)功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動系統(tǒng)的需求。2012年英飛凌計劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達到年產(chǎn)近600萬塊。
2009-02-12
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TIG058E8：三洋半導體開發(fā)出面積縮小60％的手機閃光燈用IGBT
三洋半導體開發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機的拍照功能?？赏ㄟ^IGBT的開關操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲的電力，使氙氣管發(fā)光。
2009-02-02
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發(fā)布集成驅(qū)動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
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