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電子供應(yīng)鏈修復(fù)至少4月以上
針對(duì)日本強(qiáng)震對(duì)電子供應(yīng)鏈的影響,美銀美林證券全球半導(dǎo)體研究部主管何浩銘 (Daniel Heyler)近日表示,由于BT樹(shù)脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單,而兩家占BT樹(shù)脂供給量的九成,使得基板供給影響比想象嚴(yán)重,目前預(yù)估這次震災(zāi)對(duì)NAND、LCD面板、太陽(yáng)能等供給的影響分別為40%、10%、20%,預(yù)期這次電子供應(yīng)鏈修復(fù)期至少4-6個(gè)月。
2011-03-21
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日本地震影響電子元件供應(yīng)與價(jià)格
日本地震與海嘯可能導(dǎo)致某些電子元件嚴(yán)重短缺,進(jìn)而推動(dòng)這些元件的價(jià)格大幅上漲。雖然目前幾乎沒(méi)有關(guān)于電子工廠實(shí)際損失的報(bào)道,但運(yùn)輸與電力設(shè)施受到破壞將導(dǎo)致供應(yīng)中斷,造成元件供應(yīng)短缺和價(jià)格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
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F-RAM會(huì)帶來(lái)RFID標(biāo)簽的革命嗎?
目前市場(chǎng)上的存儲(chǔ)器種類非常多,主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線存取功能相結(jié)合,使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示:技術(shù)升級(jí),將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加,帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資,NAND 記憶體制造商支出增加,以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體,皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。
2010-06-21
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內(nèi)存晴雨表-NAND價(jià)格穩(wěn)定帶來(lái)正面環(huán)境
NAND價(jià)格持續(xù)透明,導(dǎo)致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄,使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對(duì)于2010年持有非常樂(lè)觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動(dòng)下,市場(chǎng)對(duì)于NAND閃存的需求不斷增長(zhǎng),也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需求已促使廠商逐步重新啟動(dòng)和重新裝備其閑置的工廠。
2010-04-02
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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