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占位面積僅2mmx2mm，TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET
Vishay新款超小外形尺寸TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻，器件采用2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝，致力于便攜式電子產(chǎn)品節(jié)省空間及提高效率。
2013-09-09
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Vishay新款TMBS?整流器，用于商業(yè)應(yīng)用的低外形SMPD封裝
Vishay發(fā)布16個新款45V、50V、60V、100V和120V整流器件，針對商業(yè)應(yīng)用的低外形SMPD封裝。器件的低正向壓降減少了功率損耗，且器件非常適合自動配置，可進(jìn)一步提高效率。
2013-09-09
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最低正向壓降的肖特基整流器問世
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。這兩款器件是業(yè)內(nèi)首批在10A和15A下的典型正向壓降低至0.40V和0.41V，兼具優(yōu)化的漏電流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封裝，可用于智能手機(jī)和平板電腦的充電器。
2013-09-04
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Vishay新款SMD MLCC，針對高頻RF應(yīng)用
Vishay發(fā)布新款SMD MLCC，針對高頻RF應(yīng)用，提供可靠的性能。該器件具有超過2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，電壓等級高達(dá)1500V，可用于電信、醫(yī)療、國防和工業(yè)設(shè)備。
2013-08-28
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Vishay發(fā)布高頻RF應(yīng)用新款SMD MLCC，Q值超2000
日前，Vishay 宣布推出針對高頻RF應(yīng)用高功率表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)，新款QUAD HIFREQ系列產(chǎn)品具有超過2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，電壓等級高達(dá)1500V，適用于電信、醫(yī)療、國防和工業(yè)設(shè)備。
2013-08-28
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Vishay推出手勢遙控應(yīng)用高功率高速紅外發(fā)射器
日前，Vishay 宣布推出用于手勢遙控應(yīng)用的新款高功率高速940nm紅外發(fā)射器VSLB9530S。該器件在100mA電流下的發(fā)射功率達(dá)40mW，在垂直方向和水平方向的半強(qiáng)角分別達(dá)到±18°和±36°，采用TELUX封裝，且開關(guān)速度很快，時間僅15ns。
2013-08-28
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Vishay發(fā)布醫(yī)療設(shè)備用TANTAMOUNT固鉭片式電容
日前，Vishay宣布推出新系列TANTAMOUNT表面貼裝固鉭模壓片式電容器TM3系列，新款可靠的模塑電容器采用穩(wěn)固的陽極設(shè)計、威布爾分級和Hi-Rel篩選，可在各種家用和醫(yī)用非生命支持醫(yī)療監(jiān)護(hù)和診斷設(shè)備中提供更好的性能和可靠性。
2013-08-22
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Vishay新增12款±35°半靈敏度角新款高速表面貼裝光探測器
Vishay日前宣布推出采用微型鷗翼、倒鷗翼和側(cè)視型封裝及寬視角半球形透鏡的新款高速光探測器。對于需要成對發(fā)射器-探測器的應(yīng)用，新增二極管可以匹配Vishay的新款±25°和±28°發(fā)射器。其中，VEMD2xx3(SL) PIN光電二極管半靈敏度角為±35°，典型輸出電流為10μA，具有1nA的極低暗電流；VEMT2xx3(SL)光電晶體管的典型輸出電流為2.7mA。
2013-08-12
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Vishay推出高2.1mm的新款10mm標(biāo)準(zhǔn)SMD 7段LED數(shù)碼管
Vishay發(fā)布高2.1mm的新款10mm標(biāo)準(zhǔn)SMD 7段LED數(shù)碼管——VDMx10x0和VDMx10A1系列。該器件采用發(fā)光均勻、無污點(diǎn)的數(shù)碼管和灰色封裝表面，有紅橙黃綠4種顏色，發(fā)光強(qiáng)度達(dá)2750μcd，可用于多種應(yīng)用。
2013-08-07
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Vishay新款TMBS整流器在3A下正向壓降僅0.34V
日前，Vishay宣布推出12款電流等級從6A至20A的新型45V、60V和100V的TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。新的整流器在3A下的正向電壓降只有0.34V，采用表面貼裝TO-252(DPAK)封裝，非常適合商業(yè)應(yīng)用。
2013-08-02
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Vishay發(fā)布軍工和航天應(yīng)用液鉭高能電容器，業(yè)界容量最高
Vishay 日前宣布發(fā)布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR只有0.025?，在市場上類似器件當(dāng)中容量最高，容量為1100μF～72000μF。HE4的制造工藝使其可以承受高應(yīng)力和惡劣的環(huán)境，采用可在軍工和航天應(yīng)用中提高可靠性和性能的特殊殼體設(shè)計。
2013-07-26
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Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容
中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可耐105℃高溫。
2013-07-20
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