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擴展探頭帶寬以提高信號保真度
由于存儲器設計日趨復雜和緊湊，數據速率越來越高，使用BGA探頭探測DDR DRAM越來越受歡迎并已成為一種需求。DDR3和DDR4數據速率從800MT/s增加到約3200MT/s。
2011-11-18
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七月上旬DRAM合約均價直逼金融風暴時期
根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調查，七月上旬合約價再度呈現下跌的價格走勢，DDR3 2GB及4GB合約均價分別在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78)，跌幅各為7.25%與7.46%，此價格已經逼近金融風暴時期的最低價格水位，從市場面來觀察，由于三月日本地震過后，PC-OEM廠曾提升手上庫存水位，以防出貨發生斷煉危機，亦讓五月合約價格起漲最高至19美元，但由于全球市場對于下半年PC出貨數字趨向保守，PC-OEM廠亦紛紛調降出貨目標，甚至六月部份合約客戶取消原本要進貨的數量，調降目前高達4-6周左右的庫存水位，故七月上旬合約價方面，在PC-OEM客戶采購意愿不高與DRAM廠有出貨壓力下，合約價格已轉為買方主導，上旬合約價一路下探至15.5美元價位，七月下旬合價格不排除將繼續探底。
2011-07-18
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Linear推出同步降壓型穩壓器LTC3634應用于DDR存儲器供電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。
2011-07-05
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2011下半年NB市場將遭遇平板電腦正面沖突
根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構 DRAMeXchange 調查，受到終端需求不振以及日本地震后對筆記本電腦(NB)供應鏈產生的影響，第二季代工廠出貨不確定因素增加，盡管需求可能遞延至下半年，但下半年將與平板電腦的放量效應正面沖突，預算排擠效應將對NB成長有所壓抑。
2011-04-13
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日本地震影響電子元件供應與價格
日本地震與海嘯可能導致某些電子元件嚴重短缺，進而推動這些元件的價格大幅上漲。雖然目前幾乎沒有關于電子工廠實際損失的報道，但運輸與電力設施受到破壞將導致供應中斷，造成元件供應短缺和價格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標準邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
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F-RAM會帶來RFID標簽的革命嗎？
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業標準無線存取功能相結合，使創新型的數據采集能力應用更廣泛的領域。
2011-03-01
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iSuppli預計今年平板電腦出貨量將達5760萬臺
市場研究公司iSuppli預計，平板電腦DRAM內存的出貨量今年將從去年的3780萬GB增長至3.53億GB。這一數字將在2012年達到 10億GB，2014年達到35億GB。
2011-02-08
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2010年整體平板電腦的出貨量預估為1500萬臺
根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAM eX change的調查，由于iPad帶動平板電腦的風潮，許多PC廠商與手機廠商在下半年加速在平板電腦的開發與上市計畫。為了與iPad競爭，其他廠商的平板電腦設計強調更強大的處理器效能、更大的儲存空間與開放性的軟硬體支援(例如提供 USB埠與支援Flash播放等功能)，企圖結合GoogleAndroid來走出另外一條路。
2010-12-31
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VLSI提高半導體預測 但CEO們仍是謹慎的樂觀
VLSI提高IC預測，但是該公司看到雖然很多產品供不應求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。
2010-08-05
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通孔刻蝕工藝的檢測技術研究
隨著半導體制造技術推進到更加先進的深亞微米技術，半導體金屬布線的層數越來越多，相應的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發展到512M時，設計規則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的難度也越來越大，如果刻蝕不到位，就可能出現金屬布線間的開路，直接導致器件失效。那么蝕刻后的監測就變的至關重要，本文簡介通孔刻蝕工藝的檢測技術研究，并對比了不同檢測設備的檢測結果
2010-06-22
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2010年半導體設備產業將勁揚113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術升級，將帶動 2010年半導體資本設備市場的成長。對40奈米和45奈米設備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。
2010-06-21
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DRAM產業回升，以勝利姿態揮別2009
據iSuppli公司，2009年DRAM市場搖擺不定，從一個極端到另一個極端，但第四季度克服了年初時的疲弱局面，高調結束全年，自2007年以來首次實現盈利。
2010-05-05
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