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MOS管在開關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管...
2025-01-25
MOS管 開關(guān)電源
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物聯(lián)網(wǎng)如何改變供應(yīng)鏈
過去十年間，供應(yīng)鏈發(fā)生了顯著變化，而最近物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的整合更對(duì)其產(chǎn)生了巨大影響。除了跟蹤包裹或產(chǎn)品外，監(jiān)控特定細(xì)節(jié)的能力已成為供應(yīng)鏈領(lǐng)域中的一個(gè)顛覆性因素?；ヂ?lián)設(shè)備和傳感器可對(duì)生產(chǎn)流程進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而實(shí)現(xiàn)預(yù)測性維護(hù)并提高整體效率。物聯(lián)網(wǎng)的大量應(yīng)用也推動(dòng)了市場上一些最具創(chuàng)新性...
2025-01-24
物聯(lián)網(wǎng) 供應(yīng)鏈
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
工業(yè)用 SiC 功率模塊
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意法半導(dǎo)體榮膺 2025 年全球杰出雇主認(rèn)證
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評(píng)選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
意法半導(dǎo)體
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IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南，拿下！
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。
2025-01-24
IGBT 并聯(lián)設(shè)計(jì)
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
功率器件 熱設(shè)計(jì) 熱系數(shù) 結(jié)溫
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加速度傳感器不好選型？看這6個(gè)重要參數(shù)！
本文概述了選擇加速度計(jì)時(shí)的6個(gè)關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，這些參數(shù)對(duì)確保加速度計(jì)適合特定應(yīng)用至關(guān)重要。了解這些參數(shù)有助于用戶根據(jù)具體需求挑選合適的加速度計(jì)型號(hào)，以優(yōu)化性能和準(zhǔn)確性。如何選擇合適于應(yīng)用的加速度計(jì)可能是個(gè)相當(dāng)棘手的問題。為了幫助你選擇適合于應(yīng)用的器件，下面例舉了一些有關(guān)器件技術(shù)方...
2025-01-24
加速度傳感器
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