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使用柵極電阻控制IGBT的開關
柵極電阻會影響IGBT的開關時間、開關損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應用的參數(shù)非常仔細地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關損耗，但同時也必須注意快速的導通關斷所帶來的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
柵極電阻 IGBT MOSFET 柵極峰值電流
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如何根據(jù)需要恰當選擇電機
深入了解各種電機的特點有助于工程師對所需的應用選擇適當?shù)碾姍C。本文簡單介紹永磁有刷換向直流電機、無刷直流電機與混合式步進電機的工作原理，并從若干方面對這幾種電機的特點進行詳細的分析比較，以助于工程師選擇參考。
2008-11-02
永磁有刷換向直流電機 無刷直流電機 混合式步進電機
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電動助力轉向系統(tǒng)(EPS)電機驅動電路的設計
電動助力轉向系統(tǒng)（EPS）由電動機直接提供轉向助力，只需通過改變控制器軟件的設計，即可方便地調節(jié)汽車系統(tǒng)的助力特性。本文介紹了利用MC9S12系列單片機為微控制器的EPS控制系統(tǒng)電機驅動電路的設計，經(jīng)試驗該系統(tǒng)性能良好，可基本滿足電動助力系統(tǒng)轉向系統(tǒng)的需要。
2008-11-02
MOSFET EPS MC9S12 NE555
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步進電機H橋驅動電路設計
本文設計的步進電機H橋驅動電路，使加到電機繞組上的電流信號前后沿較陡，降低了開關損耗，改善了電機的高頻特性，同時具有多種保護功能．實驗證明，該驅動電路簡單、可靠并具有優(yōu)良的驅動性能。
2008-11-02
H橋 功率驅動 MOSFET U14 1N4744
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MOSFET及MOSFET驅動電路總結
常用MOSFET管主要有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，兩者在導通的時候都會有導通損耗和開關損失出現(xiàn)，要想辦法降低這兩種損失。在MOS管的驅動問題方面，除了要考慮導通電壓的問題，速度也是一個考察的方面。
2008-11-02
MOSFET NMOS PMOS 導通損耗 開關損失
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IPM驅動和保護電路的研究
智能功率模塊(IPM)是集GTR及MOSFET兩者優(yōu)點于一身的功率開關器件，，內置的驅動和保護電路縮短了系統(tǒng)開發(fā)時間，也提高了故障下的自保護能力。本文簡單介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅動和保護電路的設計方法，并給出了設計實例。
2008-11-02
IPM IGBT MOSFET PM100DSA120 PIC
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IGBT驅動與保護技術在直流調速系統(tǒng)中的應用
本文將大功率開關器件IGBT應用在功率變換電路及直流調速系統(tǒng)中。闡述了IGBT 驅動器的基本要求，同時介紹了EXB841 芯片內部結構，并分析了系統(tǒng)的工作原理。
2008-11-02
IGBT AT89C51 EXB841 轉速測量
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