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Arm SystemReady創(chuàng)下新里程 為數(shù)據中心夯實創(chuàng)新根基
Arm? 近日發(fā)布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 個月以來，獲得產業(yè)廣泛合作伙伴的支持，并已頒布超過 50 張認證，其中Microsoft? Azure? 基于Arm架構的 Ampere? Altra? 處理器的服務器獲得 SystemReady SR 認證，成為首個獲得認證的云服務提供商服務器，其搭載Arm架構的Ampere Altra 處理器的Azure虛...
2022-06-21
Arm SystemReady 數(shù)據中心
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DC-DC升壓穩(wěn)壓器外圍元器件的選擇與優(yōu)化
在便攜和可穿戴設備等電池供電的低電壓應用中，常有一些功能需要較高的電壓才能工作，例如射頻收發(fā)器、精密模擬電路、白光LED背光驅動、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉換器來向上轉換到所需的電壓，讓設備既節(jié)能又高效的工作。
2022-06-21
DC-DC 升壓穩(wěn)壓器 外圍元器件
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MEMS壓力傳感器解決人機界面新痛點
2021 年 5 月，Qorvo 宣布了收購 NextInput 公司，作為其傳感器融合產品線的首次收購，Qorvo 對于 NextInput 在改善人機交互（HMI）市場的創(chuàng)新給予了厚望。同時，也意味著 Qorvo 除了在 RF MEMS 之外，也擁有了 MEMS 壓力傳感器的技術積累。
2022-06-21
MEMS 壓力傳感器 人機界面
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速...
2022-06-21
變頻器 IGBT模塊 故障分析
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。
2022-06-21
穩(wěn)定性 CoolSiC MOSFET
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安森美向前推進可持續(xù)發(fā)展
2022年6月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發(fā)布其年度可持續(xù)發(fā)展報告，前稱企業(yè)社會責任（CSR）報告。為了持續(xù)努力保持我們對投資者、客戶、利益相關者和員工的透明度，該報告根據全球報告倡議組織（GRI）、氣候相關的財務披露工作組（TCFD）和可持...
2022-06-20
安森美 可持續(xù)發(fā)展
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Digi-Key在2022年EDS領導力峰會上被供應商授予了25項大獎
全球供應品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯維加斯舉行的 2022 EDS 領導力峰會上獲得了供應商授予的 25 項大獎。這是對 Digi-Key 在過去一年中的銷售業(yè)績、客戶服務、產品廣度、數(shù)字存在等方面成績的認可。
2022-06-20
Digi-Key EDS領導力峰會
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