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英飛凌擴展第三代逆導IGBT產品組合
英飛凌科技股份有限公司擴展其第三代逆導 （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產品，以因應市場對高可靠性的持續需求。
2012-10-25
英飛凌 IGBT 逆導IGBT
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自適應防雷技術工作原理詳解
浪涌保護日益重要，但就目前的浪涌防護技術來講還是有很多問題的，例如不能準確選擇相應電壓等級的浪涌防護器。歐申公司的自適應防雷技術就可以解決這一問題。
2012-10-25
自適應防雷 AEM
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旁路電容設計的13條規則
考慮到了電路布局對性能的所有可能的影響，設計人員可以做些什么來確保版圖避免振蕩、失真和總體信號質量低下呢？下面的基本版圖和旁路電容設計指南“設計規則13條”可能頗有裨益。
2012-10-24
旁路電容 電容 振蕩
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功率型NTC如何抑制浪涌電流
功率型NTC抑制浪涌電流的原理：在電子電路電源部分（LED驅動板，熒光燈換流器，加熱器等），開機的瞬間會產生一個比正常工作電流高出百倍的浪涌電流。
2012-10-24
NTC 浪涌電流 電路保護
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D類功放和與AB類功放優缺點對比
“數字功放”的基本電路是早已存在的Ｄ類放大器（國內稱丁類放大器）。以前，由于價格和技術上的原因，這種放大電路只是在實驗室或高價位的測試儀器中應用。這幾年的技術發展使數字功放的元件集成到一兩塊芯片中，價格也在不斷下降。理論證明，Ｄ類放大器的效率可達到100％。然而，迄今還沒有找到理想...
2012-10-24
D類功放 AB類功放 數字功放
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半導體三極管技術參數分析
中國、印度等新興市場的成長將帶動消費電子產品如LCD TV、筆記本電腦、臺式電腦、雙模數碼相機（DSC）、手機，汽車電子，智能手機等終端產品需求量上升的強大助力，而3G建設等新產品新行業的的快速發展，進而帶動上游半導體三極管的市場成長，給電子行業帶來巨大商機。那么很多電子行業的生產企業在...
2012-10-24
半導體 三極管
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TDK的熱輔助記錄實現每平方英寸1.5Tbit
TDK公開了能夠提高硬盤記錄密度的新型磁頭的開發成果。通過使用采用近場光的熱輔助記錄方式的磁頭技術，實現了1.5Tbit/inch2的面記錄密度，誤碼率（BER）為10-2。
2012-10-24
TDK 磁頭 硬盤
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第一講：解析雷電和浪涌的產生、危害及防護措施
眾所周知，雷電具有極大地破壞性，其電壓高達數百萬伏，瞬間電流可高達數十萬安培。現代電子設備功能越來越強，電路越來越復雜，元器件密度也越來越高，但承受電磁干擾或感應電壓的能力越來越低。尤其是監控系統，多數都裝在室外，更易受到雷擊及浪涌的破壞，如不對這些電子設備進行雷電感應保護，...
2012-10-24
雷電 浪涌 保護
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中國電子展發展的見證者
隨著工業控制、汽車、軌道交通、物流設備、金融機具、航空及軍用電子設備、安防、照明、測試、醫療儀器等新應用市場的興起，供應商高利潤業務被迅速拉動。針對先進制造業的工業電子市場，展會現場將開設眾多熱點產品展示區域和專業活動。值得一提的是，在中國電子展舉辦八十屆之際，展會將增加一系...
2012-10-24
中國電子展
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