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MEMS設(shè)計的高度復(fù)雜性的體現(xiàn)
針對困擾MEMS發(fā)展的制約因素，人們一直在尋求相應(yīng)的解決辦法。國外的研究結(jié)果顯示，MEMS的加工能力強(qiáng)于其設(shè)計能力。因此，提高M(jìn)EMS的設(shè)計能力就更為迫切。
2013-01-05
MEMS 器件 微機(jī)電
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適用于用于電信系統(tǒng)和POE網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序的MOSFET
AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競爭對手，分別構(gòu)建。的低導(dǎo)通電阻減小導(dǎo)通損耗，并允許器件工作在較低的溫度下。
2013-01-05
MOSFET 電信系統(tǒng) 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用
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比較不同的電路保護(hù)技術(shù)及濾波技術(shù)
消費者要求智能手機(jī)等便攜/無線設(shè)備具有更多功能特性及采用纖薄型工業(yè)設(shè)計，這就要求設(shè)計人員要求更加注重小外形封裝之中的ESD及EMI性能。靜電放電(ESD)保護(hù)及電磁干擾(EMI)正在成為所有電氣設(shè)備越來越重要的考慮因素。本文將分析電路保護(hù)要求，比較不同的電路保護(hù)技術(shù)及濾波技術(shù)，介紹安森美半導(dǎo)體...
2013-01-05
電路保護(hù) 濾波 安森美
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低鉗位電壓的TVS，非常實用USB3.0 接口保護(hù)
由于USB3.0的速率非?？欤丝诘腅SD保護(hù)越來越重要，這就要求保護(hù)器件不能影響這個信號質(zhì)量。Semtech新的TVS最大的優(yōu)勢在于非常低的ESD鉗位電壓，這對敏感的USB3.0芯片起到很好的保護(hù)作用。
2013-01-05
TVS USB3.0 ESD
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適用于智能電網(wǎng)的新型鋰離子電容器
太陽誘電開發(fā)出最高使用溫度高達(dá)85℃的圓筒型鋰離子電容器，在3.8V電壓下也可于70℃環(huán)境下工作，適用于智能電網(wǎng)、為SSD儲存服務(wù)器。
2013-01-05
電網(wǎng) 鋰離子 電容
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MDO能夠很好的解決EMI和EMC
MDO擁有獨特的功能，可以把多個域中的原因和結(jié)果關(guān)聯(lián)起來，這標(biāo)志著測試設(shè)備的根本性變革，在調(diào)試EMI問題時打開了新的、當(dāng)然也是更簡便的道路。
2013-01-05
MDO EMI EMC
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加快了故障解決和分析速度的HiFi功率放大器
HiFi功率放大器設(shè)計BOM，對多域信號分析的支持通過在多個域中確定問題的根本原因加快了故障解決和分析速度。
2013-01-05
功率放大器 BOM 分析速度 故障解決
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一種對氧化鋅非線性電阻進(jìn)行測試的電源
氧化鋅非線性電阻是一種壓敏電阻器，用于電力系統(tǒng)保護(hù)已有30多年的歷史了，它具有保護(hù)效果好，節(jié)能、價廉等一系列優(yōu)點，因此，在發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子過電壓保護(hù)，剩磁吸收，及避雷器中有著不可替代的保護(hù)作用。
2013-01-03
氧化鋅非線性電阻 測試 電源
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淺析采取低閃變控制方式的新型整流電源
與交流電弧爐相比，直流電弧爐對電網(wǎng)的干擾和沖擊以及給電網(wǎng)造成的閃變要小得多。但是整流器整流輸出電壓Ud是晶閘管觸發(fā)角α的函數(shù)，為了降低整流輸出電壓，必須增大α，這會增大交流電壓和交流電流之間相移因數(shù)φ，因此增加了無功功率損耗，同時也降低了功率因數(shù)，為了使無功功率損耗盡可能小，電弧爐...
2012-12-31
低閃變控制 整流電源
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