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東京農工大學開發出單層碳納米管與鈦酸鋰復合而成的鋰離子電容器
東京農工大學研究生院于2009年3月宣布，開發出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復合而成的負極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實現了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據稱，該功率MOSFET的導通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優值）為“業界最高”。全部柵極電荷量為標準50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。
2010-04-19
IR 導通電阻 耐壓 功率MOSFET
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節能技術研討會閉幕 低碳經濟催熱新型節能技術
節能技術研討會閉幕 低碳經濟催熱新型節能技術
2010-04-16
節能技術研討會閉幕 低碳經濟催熱新型節能技術
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新一代低VCEsat雙極晶體管
近年來，中功率雙極晶體管在飽和電阻和功率范圍上的重大突破，極大地拓寬了此類器件的應用領域。恩智浦最新推出的SMD封裝中功率晶體管(BISS 4)再次顯現出雙極晶體管的技術優勢，在為開關應用帶來了開關損耗更小，效率更高的同時，也贏得了更多的市場空間。
2010-04-16
雙極晶體管 SMD BISS 4
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亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行
有力推動我國電子生產行業制造水平亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行
2010-04-16
亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行
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全球半導體設備資本支出衰退潮有望扭轉
國際研究暨顧問機構Gartner發布最終統計結果，2009年全球半導體設備資本設備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設備支出大幅下滑47%，后端設備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導體設備 資本支出 衰退潮 扭轉
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多晶硅產業將在2011年面臨大幅震蕩
多晶硅產業將在2011年面臨大幅震蕩。此結論來源于Bernreuter信息研究公司（以下簡稱Bernreuter研究）今日發布的最新研究報告《太陽能多晶硅的生產狀況》。多晶硅被視為半導體和光伏產業的供給原料，但在該市場于2009年轉至供過于求的狀態之前，多晶硅一直處于短缺。
2010-04-16
多晶硅 面臨 大幅震蕩 Bernreuter
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供貨商節制擴產 被動組件全年缺貨
被動組件自去年第四季起供應吃緊，廠商即使紛紛拉高產能利用率至滿水位，還是跟不上客戶拉貨的腳步，庫存逐步見底，國巨的成品庫存天數由上季的23天，到第一季一口氣掉到14天，為歷史最低庫存量。
2010-04-16
供貨商 節制擴產 被動組件 缺貨
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注重用戶界面的iPad改變了電子設計領域的游戲規則
據iSuppli公司的拆機分析結果，蘋果公司的iPad把40%以上的材料成本(BOM)都用在了顯示器、觸摸屏和其它用戶界面部件上面。與傳統產品的電子設計相比，iPad可謂離經叛道。
2010-04-16
蘋果 iPad 顯示器 觸摸屏 電池 電子設計
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