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飛思卡爾新推高性能Xtrinsic加速傳感器
飛思卡爾半導(dǎo)體推出的FXLC95000CL Xtrinsic智能傳感器可降低系統(tǒng)功耗、提高性能。作為一個(gè)傳感器融合平臺(tái)，它集成了板載加速度傳感器，能夠管理多個(gè)外部傳感器。結(jié)合MUC技術(shù)更好的簡化傳感器融合。
2013-05-24
飛思卡爾 XTRINSIC 傳感器 集線器
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Molex推出支持航天國防網(wǎng)絡(luò)連接的Brad Nano-Change連接器
近日，Molex推出緊湊型Brad Nano-Change (M8)連接器產(chǎn)品，支持具有挑戰(zhàn)性的工業(yè)自動(dòng)化、航天與國防領(lǐng)域的網(wǎng)絡(luò)連接性，新型連接器的鍍金銅合金觸點(diǎn)和磷青銅插座確保可靠的低電阻性能，而且在緊湊空間中提供穩(wěn)固的性能，通過簡化維護(hù)和安裝，最大限度地減少了停機(jī)時(shí)間和配線。
2013-05-22
Molex 連接器
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Molex推出業(yè)內(nèi)最低的底座面高僅1.10mm存儲(chǔ)器技術(shù)
近日，Molex公司推出空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM存儲(chǔ)器模塊插座產(chǎn)品組合。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業(yè)內(nèi)最低；并且壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小，有效節(jié)省了寶貴的PCB空間，適用于較高密度的電子線路設(shè)計(jì)。
2013-05-20
Molex 存儲(chǔ)器
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新型電源柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，它的高電源/輸出驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。
2013-05-17
IGBT MOSFET 電源柵極驅(qū)動(dòng)器
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三方面有效控制EMC
時(shí)鐘速度的提升加上高頻率總線以及更高的接口數(shù)據(jù)速率使得PC電路板設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性顯著提高，硬件工程師應(yīng)在PC電路板設(shè)計(jì)階段解決EMC問題。本文就從接地設(shè)計(jì)、布局以及板外設(shè)計(jì)來探討控制EMC的方法。
2013-05-16
EMC PCB電路設(shè)計(jì)
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新型帶擴(kuò)展功能功率因數(shù)控制器 參數(shù)可視化存儲(chǔ)及處理
TDK新推出兩款BR7000系列新型功率因數(shù)控制器。其中BR7000-T控制器專為應(yīng)用于快速投切操作的EPCOS動(dòng)態(tài)晶閘管模塊而設(shè)計(jì)，而TDK新產(chǎn)品BR7000-I控制器配置了RS485接口，通過RS485接口與PC機(jī)連接，實(shí)現(xiàn)嵌入網(wǎng)絡(luò)、控制器耦合以及數(shù)據(jù)讀取。
2013-05-16
控制器 BR7000 功率因數(shù) TDK
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僅有120ns最大傳播延遲的門驅(qū)動(dòng)光電耦合器
近日，Avago Technologies推出二組新高速門驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，這些器件在設(shè)計(jì)上為用來保護(hù)和驅(qū)動(dòng)功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A門驅(qū)動(dòng)光電耦合器，適合如變頻器、電機(jī)控制和開關(guān)電源(SPS)等高頻率應(yīng)用。相較于Avago前一代產(chǎn)品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲...
2013-05-15
光電耦合器 傳播延遲
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Vicor零電壓DCDC轉(zhuǎn)換器 挑戰(zhàn)環(huán)境嚴(yán)苛、空間受限應(yīng)用
Vicor擴(kuò)展Picor旗下的隔離式Cool-Power ZVS DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高密度 (334 W/in3) 方案。該轉(zhuǎn)換器連接QuietPower有原EMI濾波器, 將進(jìn)一步提升整個(gè)的模塊式方案的性能,適合嚴(yán)苛的，空間受限的工業(yè)和航空、國防應(yīng)用。
2013-05-15
轉(zhuǎn)換器 電源 濾波器 Vicor
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
MOSFET 電源轉(zhuǎn)換 GaN
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