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響應時間不大于25nS，單體突波耐電流能力達70KA的MOV
君耀壓敏電阻符合多項檢驗標準，并提供豐富的產品系列以供選型。該系列產品具有快速的響應速度，響應時間≤25nS，突波耐電流能力從幾百安培到幾十千安培不等，單體最大可達 70KA。
2013-01-24
君耀 MOV 壓敏電阻
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響應時間不大于25nS，單體突波耐電流能力達70KA的MOV
君耀壓敏電阻符合多項檢驗標準，并提供豐富的產品系列以供選型。該系列產品具有快速的響應速度，響應時間≤25nS，突波耐電流能力從幾百安培到幾十千安培不等，單體最大可達 70KA。
2013-01-24
君耀 MOV 壓敏電阻
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響應時間不大于25nS，單體突波耐電流能力達70KA的MOV
君耀壓敏電阻符合多項檢驗標準，并提供豐富的產品系列以供選型。該系列產品具有快速的響應速度，響應時間≤25nS，突波耐電流能力從幾百安培到幾十千安培不等，單體最大可達 70KA。
2013-01-24
君耀 MOV 壓敏電阻
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超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米
TE近日發布了一款超薄插拔式Micro SIM卡連接器。這款先進的硬件解決方案可以在提高效率的同時降低終端產品的成本和尺寸。較上一代插拔式Mini SIM卡連接器，TE這款新產品可額外節省35%的PCB（印刷電路板）空間，并具有更小的外形尺寸，從而為終端設備的尺寸設計和應用帶來了更大的靈活性。
2013-01-24
連接器 插拔式 TE
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超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米
TE近日發布了一款超薄插拔式Micro SIM卡連接器。這款先進的硬件解決方案可以在提高效率的同時降低終端產品的成本和尺寸。較上一代插拔式Mini SIM卡連接器，TE這款新產品可額外節省35%的PCB（印刷電路板）空間，并具有更小的外形尺寸，從而為終端設備的尺寸設計和應用帶來了更大的靈活性。
2013-01-24
連接器 插拔式 TE
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可用于智能手機的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機 MOSFET 平板電腦
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可用于智能手機的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機 MOSFET 平板電腦
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可用于智能手機的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機 MOSFET 平板電腦
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新型功率MOSFET系列，將DC-DC 開關應用效率提升2%
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術，可為 12V 輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。
2013-01-24
MOSFET 硅技術 最佳效率
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