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恩智浦半導體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們為減少打開導通電阻確立了新的基準，使開關時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關晶體管使開關和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產品表明，雙極晶體管技術為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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IR推出行業首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級器件
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產品。該產品家族分成兩種優化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
恩智浦 VCEsat 晶體管
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iP2010/2011：IR率先推出行業首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
2010-03-10
iP2010 iP2011 氮化鎵
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任天堂超過三星 成為消費產品和手機MEMS的最大買家
據iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韓國的三星，成為用于消費電子產品和手機的微機電系統(MEMS)的全球最大買家。
2010-03-10
任天堂 三星 MEMS
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中大尺寸液晶電視最新LED背光方案
在規范標準及綠色營銷的壓力下，液晶電視的工作及待機能耗也越來越低。如“能源之星”4.0版規范及5.0版規范相繼將于2010年5月及2012年5月生效，其中5.0版要求可視屏幕對角尺寸為32英寸、42英寸和60英寸的平板電視平均工作能耗從4.0版的不超過78W、115W和210W下降到不超過55W、81W和108W，本文介紹中大...
2010-03-10
液晶電視 LED背光 CCFL 電源架構
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LED芯片封裝缺陷檢測方法
引腳式LED芯片封裝工藝中封裝缺陷不可避免。基于p-n結的光生伏特效應和電子隧穿效應，分析了一種封裝缺陷對LED支架回路光電流的影響。利用電磁感應定律對LED支架回路光電流進行非接觸檢測，得到LED芯片功能狀態及芯片電極與引線支架問的電氣連接情況，并對檢測精度的影響因素進行分析。
2010-03-10
LED芯片 缺陷檢測 電子隧穿效應 非金屬膜層
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