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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一個主觀術語,它可以用許多你喜歡的方式衡量,但是在功率轉換界,它歸結為兩個相互依賴的主要值,即效率和成本。現(xiàn)在,作為半導體開關材料,硅在導電和動態(tài)損耗性能方面已經到達了極限,這已經是一個常識了,因此越來越多的人考慮采用碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術來實現(xiàn)更好的性能。這兩種材料...
2022-03-10
SiC FET 性能
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BMS電池管理系統(tǒng)SOC算法
隨著電池性能的大幅提升,越來越多的應用使用電池包提供能量。在電池管理系統(tǒng)中,如何準確地估算電池的 SOC 是設計者需要考慮的重點與難點。
2022-03-10
BMS 電池管理系統(tǒng) SOC算法
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如何為衛(wèi)星應用選擇合適的LDO
耐輻射低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 是許多航天級子系統(tǒng)(包括現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、數(shù)據(jù)轉換器和模擬電路)的重要電源元件。LDO 有助于確保為性能取決于干凈輸入的元件提供穩(wěn)定的低噪聲和低紋波電源。
2022-03-10
衛(wèi)星應用 LDO
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通過更高的輸出功率和H級控制打造身臨其境的汽車音頻體驗
隨著汽車油耗標準的不斷提高(根據(jù)美國環(huán)境保護署的規(guī)定,2026年每加侖汽油的行駛里程需提升至40英里),汽車音響設計人員面臨的挑戰(zhàn)是如何提供身臨其境的音頻體驗,同時減輕車輛重量并提高整體效率。
2022-03-10
輸出功率 H級控制 汽車音頻
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扛鼎之作 CITE 2022頂配來襲
?數(shù)以億萬計的電子元件蓬勃產出,精細化零部件精準組裝時刻進行,一條條機械手臂靈活運作,一件件電子產品走進千家萬戶……這是我國電子信息產業(yè)高質量發(fā)展新動能的縮影,也是我國產業(yè)規(guī)模世界第一的能力彰顯。
2022-03-09
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如何使用LTspice對復雜電路的統(tǒng)計容差分析進行建模
LTspice?可用于對復雜電路進行統(tǒng)計容差分析。本文介紹在LTspice中使用蒙特卡羅和高斯分布進行容差分析和最差情況分析的方法。為了證實該方法的有效性,我們在LTspice中對電壓調節(jié)示例電路進行建模,通過內部基準電壓和反饋電阻演示蒙特卡羅和高斯分布技術。然后,將得出的仿真結果與最差情況分析仿...
2022-03-09
LTspice 統(tǒng)計容差 建模
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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導通的機制,并進一步指出為了避免寄生導通,在選取MOSFET時應遵循什么準則。
2022-03-09
功率MOSFET 寄生導通
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