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有源前端整流器
介紹針對電動汽車充電器的最佳SiC功率拓?fù)浜驼{(diào)制決策的設(shè)計技巧，利用指導(dǎo)拓?fù)浜驼{(diào)制決策，有助于消除不可行選項，轉(zhuǎn)而關(guān)注那些可能表現(xiàn)良好的選項。
2022-06-17
電動汽車 整流器
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集成智能第1部分：EMI管理
智能的集成電機(jī)驅(qū)動器和無刷直流 (BLDC) 電機(jī)都有助于使電動汽車和下一代汽車更具吸引力、更安全和更可靠。集成電機(jī)驅(qū)動器組合了驅(qū)動電機(jī)所需的一切，例如場效應(yīng)晶體管 (FET)、柵極驅(qū)動器和狀態(tài)機(jī)（如圖1所示）。集成可消除從電子控制單元 (ECU) 到電機(jī)的長布線，并具有印刷電路板 (PCB) 尺寸更小和...
2022-06-16
電機(jī)驅(qū)動器BLDC EMI
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SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動電壓
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25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應(yīng)鏈
幾年來，xEV的普及率一直很高。預(yù)計2021至2027年間，全球xEV市場的復(fù)合年增長率將達(dá)到21%，所有細(xì)分市場的復(fù)合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動力技術(shù)也將大幅增長。事實上，不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應(yīng)鏈
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保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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