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探測距離能超1米的接近傳感器，明年3月量產
Vishay推出集成了紅外發射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC的接近傳感器，器件采用4.85mm x 2.35mm x 0.83mm封裝，待機電流只有1.5μA，如使用集成的發射器驅動來驅動，探測距離可超過1米，同時可極大降低功耗。
2012-12-04
接近傳感器 Vishay 傳感器
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僅有1.1mm高的Nextreme熱電模塊，明年Q1開始出貨
局部面積熱管理專家Nextreme最近開發出了一個新的MA8000系列薄膜熱電模塊，散熱能力更強，機械設計更堅固，高度只有1.1mm高，更容易集成進現有的電子系統。該系列有5個模塊，可在63到375平方毫米面積內抽出10到80瓦的熱量。
2012-12-04
薄膜 熱電模塊 Nextreme
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高度2.4mm間距0.85mm的SMD DDR4 DIMM插槽
為配合2014年初英特爾將推出的Grantley服務器平臺和Haswell服務器處理器，FCI快速開發出了284引腳表面貼裝DDR4 DIMM插槽，間距僅為0.85毫米，高度僅為2.4mm，它完全符合JEDEC MO-309A標準。
2012-12-04
DDR4 FCI 連接器
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九個方法：降低移動電話非穩態噪聲
語音質量對于移動電話用戶來說很重要，影響語音質量的一個主要因素是環境噪聲，因此任何抑制噪聲的方法對于手機制造商來說都是一個實現差異化的機會。
2012-12-03
低移動電話 非穩態噪聲
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C&K開發出智能手機用IP68等級30萬次壽命微型開關
如果你正在設計超薄智能手機，但又不希望犧牲開關的性能和信號質量，那么推薦你考慮C&K Components最新開發出的頂部驅動的KLT系列pico開關，與現有的KMT系列nano開關相比，尺寸大幅縮小，封裝等級高達IP68，開關壽命高達30萬次，實為不可多得的理想之選。
2012-12-03
智能手機 微型開關 C&K
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降低EMI影響，手機D類放大器怎么設計？
由于在效率上相對于AB類放大器的巨大優勢，D類放大器的應用越來越廣泛。根據市場調研機構 Gartner的報告，D類放大器在2006年至2011年之間的復合年成長率將達15.6%，從3.34億美元成長至6.88億美元，主要的成長動力來自于功耗敏感及空間受限的消費類電子產品。但D類放大器開關輸出的拓撲結構帶來了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機D類放大器
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降低EMI影響，手機D類放大器怎么設計？
由于在效率上相對于AB類放大器的巨大優勢，D類放大器的應用越來越廣泛。根據市場調研機構 Gartner的報告，D類放大器在2006年至2011年之間的復合年成長率將達15.6%，從3.34億美元成長至6.88億美元，主要的成長動力來自于功耗敏感及空間受限的消費類電子產品。但D類放大器開關輸出的拓撲結構帶來了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機D類放大器
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Thunderbolt的ESD防護如何實現？
由于Thunderbolt是超高速的傳輸接口，在系統上屬外露給使用者可以插拔的接口，必然是靜電放電(ESD)破壞的高風險區，因此ESD防護方案在此是絕對必要的。但在額外加入的ESD防護組件設計時，又必須特別注意不可以影響到其超高速訊號的傳輸質量，這讓ESD的防護又增加了挑戰。
2012-12-03
Thunderbolt ESD 防護
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創造12.5Gb/s傳輸速率應用的新行業基準AirMax VS2連接器
FCI的無屏蔽式AirMax VS2連接器，為 12.5 Gb/s應用確立富有競爭力的行業基準。AirMax VS2協調了AirMax Vse帶來的信號集成度（SI）和機械改進和創新特點，保留與AirMax VS的完全插入和配接能力，為用戶帶來更佳的成本優勢。
2012-12-03
12.5Gb/s 基準 AirMax VS2 連接器
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